Лозовой К. А. Расчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si / К. А. Лозовой, А. П. Коханенко, А. В. Войцеховский // Актуальные проблемы радиофизики : VII Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 18-22 сентября 2017 г. : сборник трудов. Томск, 2017. С. 257-260. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000627424