TY  - SER
AU  - Ижнин,Игорь Иванович
AU  - Савицкий,Григорий Владимирович
AU  - Свентек,Збигнев
AU  - Войцеховский,Александр Васильевич
AU  - Коротаев,Александр Григорьевич
AU  - Мынбаев,Карим Джафарович
AU  - Варавин,Василий Семенович
AU  - Дворецкий,Сергей Алексеевич
AU  - Михайлов,Николай Николаевич
AU  - Якушев,Максим Витальевич
AU  - Бончик,Александр Юрьевич
AU  - Фицич,Елена Ивановна
TI  - Дефекты в имплантированных мышьяком р+n- и n+p-структурах на основе пленок CdHgTe, выращенных МЛЭ
KW  - молекулярно-лучевая эпитаксия
KW  - ионная имплантация
KW  - радиационные дефекты
KW  - активационный отжиг
KW  - дефектные структуры
KW  - фотодиоды
KW  - статьи в журналах
N1  - Библиогр.: 7 назв; Доступ в сети ТГУ
N2  - Проведены комплексные исследования дефектной структуры имплантированных ионами мышьяка (с энергией 190 кэВ) пленок Cd x Hg1- x Te ( x = 0.22), выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией. Исследования проводились с использованием масс-спектроскопии вторичных ионов, просвечивающей электронной микроскопии, изучения оптического отражения в видимой области спектра и путем измерений электрофизических параметров. Радиационные донорные дефекты изучены в полученных имплантацией n+-p - и n+-n -структурах, сформированных соответственно на базе материала р -типа и n -типа без активационного отжига. Показано, что в слое распределения имплантированных ионов формируется область крупных протяженных дефектов с малой плотностью (в приповерхностной области), за которой следует область более мелких протяженных дефектов с большей плотностью. Выявлен различный характер накопления электрически активных донорных дефектов в пленках с защитным варизонным поверхностным слоем и без него. Продемонстрировано формирование p+-n -структур на базе материала n -типа при активации мышьяка в процессе постимплантационного термического отжига со 100 %-й активацией примеси и полной аннигиляцией радиационных донорных дефектов
UR  - http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000623454
ER  -