TY  - SER
AU  - Прудаев,Илья Анатольевич
AU  - Романов,Иван Сергеевич
AU  - Брудный,Валентин Натанович
AU  - Копьев,Виктор Васильевич
TI  - Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока
KW  - нитрид галлия
KW  - множественные квантовые ямы
KW  - носители заряда
KW  - светодиоды
KW  - квантовая эффективность
KW  - температурная зависимость
KW  - баллистический транспорт
KW  - плотность тока
KW  - статьи в журналах
N1  - Библиогр.: 10 назв
N2  - Представлены результаты исследования температурной зависимости квантового выхода светодиодных
структур «синего» диапазона длин волн на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN при различной силе
 прямого тока. Установлено, что в области высоких плотностей тока наблюдается увеличение квантового выхода
 при росте температуры. Моделирование зависимостей квантового выхода светодиодных структур от силы проте-
 кающего тока показало, что при учете баллистического и прыжкового транспорта носителей заряда в активной
 области структуры расчетные и экспериментальные зависимости согласуются. Показано, что уменьшение тол-
 щины активной области структуры приводит к ослаблению зависимости квантового выхода от температуры при
 высокой плотности тока
UR  - http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000577393
ER  -