• Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока / И. А. Прудаев, В. В. Копьев, И. С. Романов, В. Н. Брудный // Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 5. С. 53-56. URL: http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000577393