TY  - BOOK
AU  - Капустин,Владимир Иванович
AU  - Сигов,Александр Сергеевич
TI  - Материаловедение и технологии электроники: учебное пособие : [для студентов вузов, обучающихся по направлению подготовки 11.03.04 (210100) "Электроника и наноэлектроника", 28.03.01 (222900) "Нанотехнологии и микросистемная техника", 12.03.02 (200400) "Оптотехника", 27.03.01 (221700) "Стандартизация и метрология", 11.03.03 (211000) "Конструирование и технология электронных средств", 12.03.01 (200100) "Приборостроение", 20.04.01 (280700) "Техносферная безопасность", 12.05.01 (200401) "Электронные и оптико-электронные приборы и системы специального назначения"]
T2  - Высшее образование. Бакалавриат
SN  - 9785161012208
PY  - 2014///
CY  - Москва
PB  - ИНФРА-М
KW  - радиотехнические материалы
KW  - nlr_sh
KW  - Радиоэлектронная аппаратура
KW  - Производство
KW  - учебные издания для вузов
KW  - физико-химический анализ
KW  - состав-свойство, диаграммы
KW  - твердые тела
KW  - атомные структуры
KW  - твердые тела кристаллические, структура
KW  - дефекты кристаллической структуры
KW  - дефекты точечные
KW  - дефекты линейные
KW  - упрочнение кристаллов
KW  - границы зерен, сегрегация
KW  - межатомные связи
KW  - Ван-дер-Ваальса связь
KW  - физикохимия свойств материалов
KW  - энергия связи молекул
KW  - точечные дефекты
KW  - оксидные материалы
KW  - твердые растворы, структура
KW  - промежуточные фазы, структура
KW  - диффузия в материалах
KW  - фазовые превращения
KW  - изменение структуры материалов
KW  - изменение свойств материалов
KW  - материалы электронной техники
KW  - конструкционные материалы
KW  - материалы физической электроники
KW  - материалы микроэлектроники
KW  - материалы с особыми свойствами
KW  - технологии электроники
KW  - исследования материалов, методы
KW  - аналитические методы
KW  - электронная спектроскопия
KW  - Оже-электронная спектроскопия
KW  - масс-спектроскопия
KW  - приборы электронной спектроскопии
KW  - испытания материалов, методы
N1  - Допущено УМО вузов по университетскому политехническому образованию; Библиогр.: с. 419-422
ER  -