TY  - BOOK
AU  - Зайдман,Софья Ароновна
AU  - Гаман,Василий Иванович
ED  - Томский государственный университет.
TI  - Исследование влияния параметров базы на переходные процессы кремниевых диодов: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
PY  - 1966///
CY  - Томск
PB  - [б. и.]
KW  - диссертации
KW  - полупроводниковые приборы
KW  - диоды кремниевые
KW  - переходные процессы
KW  - уровни инъекций низкие
KW  - уровни инъекций высокие
KW  - переключения направлений
KW  - нестационарные процессы
KW  - время жизни носителей заряда
KW  - дислокации в полупроводниках
KW  - центры рекомбинаций
KW  - термозакалка кремния
KW  - облучение быстрыми нейтронами
KW  - отжиг радиационных дефектов
KW  - поверхностные свойства кремния
KW  - скорость поверхностной рекомбинации
KW  - переходные характеристики
KW  - расчетные формулы
KW  - геометрические формы диодов
KW  - температурная зависимость
KW  - дефекты объемные
KW  - инерционность диодов
N1  - Библиогр.: л. 195 - 204; Доступ в сети ТГУ
UR  - http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000465438
ER  -