Неустроев Е. П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (10кэВ/а. е. м. ) и высоких ("1МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050С : Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10 / Акад. наук РФ. Сибирское отд-ние; Объединенный ин-т физики полупроводников; Науч. рук. И. В. Антонова, С. А. Смагулова. - Новосибирск, 2000. - 167 л.: граф.