Денисов Ю. А. Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии : Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10 / Науч. рук. : Войцеховский А. В. , Коханенко, А. П. ; Томский гос. ун-т. - Томск, 1998. - 208 с.: рис.