TY  - SER
AU  - Новиков,Вадим Александрович
AU  - Григорьев,Денис Валерьевич
TI  - Исследование поверхностного потенциала в области V-дефекта эпитаксиальной пленки МЛЭ КРТ
KW  - поверхностный потенциал
KW  - теллурид кадмия-ртути
KW  - молекулярно-лучевая эпитаксия
KW  - v-дефекты
KW  - эпитаксиальные пленки
KW  - статьи в журналах
N1  - Библиогр.: 15 назв
N2  - Методами атомно-силовой микроскопии проведено исследование распределения контактной разности потенциалов (поверхностного потенциала) эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Изменение состава твердого раствора в области V-дефекта приводит к изменению величины контактной разности потенциалов. Показано, что в области V-дефекта состав твердого раствора изменяется на ~ 0.05 (2.5 ат.%) в сторону увеличения содержания ртути, а по периферии V-дефекта наблюдается область обеднения ртутью на 0.36 ат.%. Из анализа распределения поверхностного потенциала показано, что эпитаксиальная пленка КРТ, кроме макроскопических V-дефектов, содержит несформировавшиеся V-дефекты диаметром менее 1 мкм
UR  - http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000553171
ER  -