TY  - SER
AU  - Войцеховский,Александр Васильевич
AU  - Несмелов,Сергей Николаевич
AU  - Дзядух,Станислав Михайлович
AU  - Варавин,Василий Семенович
AU  - Дворецкий,Сергей Алексеевич
AU  - Михайлов,Николай Николаевич
AU  - Сидоров,Юрий Георгиевич
TI  - Электрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0,29–0,31) с резкими неоднородностями по составу
KW  - МДП-структуры
KW  - теллурид кадмия-ртути
KW  - варизонные слои
KW  - барьерные области
KW  - статьи в журналах
N1  - Библиогр.: 14 назв
N2  - Исследовано влияние областей с периодическими резкими неоднородностями по составу толщиной 48–54 нм на электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного n-Hg1–xCdxTe с x = 0,29–0,31, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что основные электрофизические и фотоэлектрические характеристики качественно сходны для МДП-структур на основе n-Hg1–xCdxTe с резкими неоднородностями по составу («барьеры») и без «барьеров». Показано, что наибольшее влияние на электрические характеристики оказывают «барьерные области», расположенные непосредственно вблизи границы раздела диэлектрик – полупроводник. Это влияние заключается в увеличении эффективной толщины диэлектрика, что может быть вызвано тем, что области повышенного состава образуют потенциальные барьеры для электронов, а также в уменьшении времени релаксации неравновесных носителей из-за рекомбинации на границах областей с резким изменением состава
UR  - http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133474
ER  -