TY - SER AU - Калыгина,Вера Михайловна AU - Киселева,Ольга Сергеевна AU - Кушнарев,Богдан Олегович AU - Олейник,Владимир Леонидович AU - Петрова,Юлианна Сергеевна AU - Цымбалов,Александр Вячеславович TI - Фотодиоды на основе структур Ga2O3/n-GaAs, способные работать в автономном режиме KW - МДП-структуры KW - вольт-фарадные характеристики KW - вольт-сименсные характеристики KW - фототоки KW - плотность ловушек KW - статьи в журналах N1 - Библиогр.: 15 назв N2 - Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/n-GaAs. Пленку оксида галлия получали ВЧ магнетронным напылением на эпитаксиальные слои n-GaAs с концентрацией N_d=9.5·1014 cм-3. Толщина оксидной пленки равнялась 120 нм. Измерения на частоте 106 Гц показали, что вольт-фарадные и вольт-сименсные зависимости описываются кривыми, характерными для структур металл--диэлектрик--полупроводник и обнаруживают слабую чувствительность к излучению с λ=254 нм. При работе на постоянном сигнале образцы проявляют свойства фотодиода и способны работать в автономном режиме. Фотоэлектрические характеристики детекторов во время непрерывного действия излучения с λ=254 нм определяются высокой плотностью ловушек на границе Ga2O3/GaAs и в объеме оксидной пленки UR - http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001010802 ER -