TY  - SER
AU  - Калыгина,Вера Михайловна
AU  - Киселева,Ольга Сергеевна
AU  - Кушнарев,Богдан Олегович
AU  - Олейник,Владимир Леонидович
AU  - Петрова,Юлианна Сергеевна
AU  - Цымбалов,Александр Вячеславович
TI  - Фотодиоды на основе структур Ga2O3/n-GaAs, способные работать в автономном режиме
KW  - МДП-структуры
KW  - вольт-фарадные характеристики
KW  - вольт-сименсные характеристики
KW  - фототоки
KW  - плотность ловушек
KW  - статьи в журналах
N1  - Библиогр.: 15 назв
N2  - Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/n-GaAs. Пленку оксида галлия получали ВЧ магнетронным напылением на эпитаксиальные слои n-GaAs с концентрацией N_d=9.5·1014 cм-3. Толщина оксидной пленки равнялась 120 нм. Измерения на частоте 106 Гц показали, что вольт-фарадные и вольт-сименсные зависимости описываются кривыми, характерными для структур металл--диэлектрик--полупроводник и обнаруживают слабую чувствительность к излучению с λ=254 нм. При работе на постоянном сигнале образцы проявляют свойства фотодиода и способны работать в автономном режиме. Фотоэлектрические характеристики детекторов во время непрерывного действия излучения с λ=254 нм определяются высокой плотностью ловушек на границе Ga2O3/GaAs и в объеме оксидной пленки
UR  - http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001010802
ER  -