Исследования комплексного дефектообразования в кремнии, легированном никелем С. С. Насриддинов, Д. М. Есбергенов
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Subject(s): нестационарная емкостная спектроскопия | рамановская спектроскопия | кремний | переходные металлы | дефектообразованиеGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Известия высших учебных заведений. Физика Т. 65, № 9. С. 126-130Abstract: Методами нестационарной емкостной спектроскопии (DLTS) и комбинационного рассеяния света (рамановская спектроскопия) изучено поведение примесей никеля и водорода в кремнии. Показано, что колебания атомов Ni и Н в Si находятся в диапазоне 925–985 см–1. В спектрах DLTS в кремнии n- и p-типа, диффузионно-легированном Ni, наблюдаются два глубоких уровня с энергиями Ev + 0.17 эВ и Eс – 0.42 эВ. Выявлено, что при химическом травлении в Si, легированном Ni, образовываются различные дефектные комплексы, связанные с водородом, энергии которых равны Eс – 0.18 эВ, Eс – 0.54 эВ, Ev + 0.26 эВ и Ev + 0.55 эВ.
Библиогр.: 16 назв.
Ограниченный доступ
Методами нестационарной емкостной спектроскопии (DLTS) и комбинационного рассеяния света (рамановская спектроскопия) изучено поведение примесей никеля и водорода в кремнии. Показано, что колебания атомов Ni и Н в Si находятся в диапазоне 925–985 см–1. В спектрах DLTS в кремнии n- и p-типа, диффузионно-легированном Ni, наблюдаются два глубоких уровня с энергиями Ev + 0.17 эВ и Eс – 0.42 эВ. Выявлено, что при химическом травлении в Si, легированном Ni, образовываются различные дефектные комплексы, связанные с водородом, энергии которых равны Eс – 0.18 эВ, Eс – 0.54 эВ, Ev + 0.26 эВ и Ev + 0.55 эВ.
There are no comments on this title.