Исследование состава, структуры, оптических свойств и радиационной стойкости порошка ZnO, модифицированного наночастицами SiO2 М. М. Михайлов, А. Н. Лапин, С. А. Юрьевв, Е. Е. Мазуренко
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Subject(s): порошки | оксид цинка | модифицирование | наночастицы | облучение | оптические свойстваGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Известия высших учебных заведений. Физика Т. 65, № 7. С. 127-130Abstract: Исследовали состав, структуру, спектры диффузного отражения в области 0.3–2.2 мкм и в ИК-области и радиационную стойкость при облучении электронами с энергией 30 кэВ в диапазоне флюенсов до 9·1016 см−2 порошка ZnO, модифицированного наночастицами SiO2. Установлено, что после модифицирования и облучения новых соединений не образуется, в ИК-спектрах интенсивность некоторых полос уменьшается, отражательная способность уменьшается в диапазоне от 0.4 до 2.2 мкм. Появляется полоса поглощения в видимой области с максимумом при 420 нм, обусловленная собственными точечными дефектами ZnO, ее интенсивность увеличивается с ростом флюенса электронов. В ближней ИК-области после облучения появляется наведенное поглощение, обусловленное свободными электронами. Сравнение с немодифицированным порошком ZnO показало эффективность модифицирования для увеличения радиационной стойкости.
Библиогр.: 16 назв.
Ограниченный доступ
Исследовали состав, структуру, спектры диффузного отражения в области 0.3–2.2 мкм и в ИК-области и радиационную стойкость при облучении электронами с энергией 30 кэВ в диапазоне флюенсов до 9·1016 см−2 порошка ZnO, модифицированного наночастицами SiO2. Установлено, что после модифицирования и облучения новых соединений не образуется, в ИК-спектрах интенсивность некоторых полос уменьшается, отражательная способность уменьшается в диапазоне от 0.4 до 2.2 мкм. Появляется полоса поглощения в видимой области с максимумом при 420 нм, обусловленная собственными точечными дефектами ZnO, ее интенсивность увеличивается с ростом флюенса электронов. В ближней ИК-области после облучения появляется наведенное поглощение, обусловленное свободными электронами. Сравнение с немодифицированным порошком ZnO показало эффективность модифицирования для увеличения радиационной стойкости.
There are no comments on this title.