Влияние электродов на параметры солнечно-слепых детекторов УФ излучения В. М. Калыгина, А. В. Цымбалов, А. В. Алмаев, Ю. С. Петрова
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Other title: Influence of electrode topology on the parameters of solar-blind UV detectors [Parallel title]Subject(s): оксид галлия | детекторы | ультрафиолет | электродыGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Физика и техника полупроводников Т. 55, вып. 3. С. 264-268Abstract: Исследовано влияние топологии электродов на электрические и фотоэлектрические характеристики структур металл/полупроводник/металл. Пленки оксида галлия получали высокочастотным магнетронным распылением мишени Ga2O3 на сапфировые подложки с ориентацией (0001). На поверхности оксидных пленок были сформированы два типа электродов: два параллельных электрода, с межэлектродным расстоянием 250 мкм и встречно-штырьевые. В электродах второго типа расстояние между ”пальцами“ составляло 50, 30, 10 и 5 мкм. Независимо от типа контактов структуры обнаруживают чувствительность к ультрафиолетовому излучению с длиной волны = 254 нм. Детекторы второго типа с межэлектродным расстоянием 5мкм демонстрируют наибольшие значения фототока Iph = 3.8 мА и удельную обнаружительную способность D = 5.54 · 1015 см · Гц0.5 · Вт−1.
Библиогр.: 25 назв.
Исследовано влияние топологии электродов на электрические и фотоэлектрические характеристики структур металл/полупроводник/металл. Пленки оксида галлия получали высокочастотным магнетронным распылением мишени Ga2O3 на сапфировые подложки с ориентацией (0001). На поверхности оксидных пленок были сформированы два типа электродов: два параллельных электрода, с межэлектродным расстоянием 250 мкм и встречно-штырьевые. В электродах второго типа расстояние между ”пальцами“ составляло 50, 30, 10 и 5 мкм. Независимо от типа контактов структуры обнаруживают чувствительность к ультрафиолетовому излучению с длиной волны = 254 нм. Детекторы второго типа с межэлектродным расстоянием 5мкм демонстрируют наибольшие значения фототока Iph = 3.8 мА и удельную обнаружительную способность D = 5.54 · 1015 см · Гц0.5 · Вт−1.
There are no comments on this title.