Формирование наноразмерных T-образных затворов с использованием метода направленного углового напыления тонких пленок алюминия И. В. Кулинич, А. И. Казимиров, Е. В. Шестериков
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Subject(s): GaAs-транзисторы | Т-образные затворы | угловое напыление | тонкие пленкиGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Известия высших учебных заведений. Физика Т. 64, № 2. С. 63-68Abstract: Представлена технология изготовления Т-образных затворов GaAs-транзисторов с использованием оптической литографии и уникального метода направленного углового напыления тонких алюминиевых пленок. Минимальная длина ножки Т-образного затвора, сформированного по разработанной технологии, составила Lg = 25 нм. GaAs-транзистор с Т-образным затвором, сформированным с использованием углового направленного напыления, продемонстрировал ток насыщения сток-исток IСИ н = 140 мА/мм, напряжение пробоя затвор-сток, по уровню тока IЗС = 50 мкА, составило UЗС проб = 9 В, напряжение отсечки Uотс = 2 В.
Библиогр.: 2 назв.
Представлена технология изготовления Т-образных затворов GaAs-транзисторов с использованием оптической литографии и уникального метода направленного углового напыления тонких алюминиевых пленок. Минимальная длина ножки Т-образного затвора, сформированного по разработанной технологии, составила Lg = 25 нм. GaAs-транзистор с Т-образным затвором, сформированным с использованием углового направленного напыления, продемонстрировал ток насыщения сток-исток IСИ н = 140 мА/мм, напряжение пробоя затвор-сток, по уровню тока IЗС = 50 мкА, составило UЗС проб = 9 В, напряжение отсечки Uотс = 2 В.
There are no comments on this title.