Численное моделирование эволюции спектров излучения в XeF(C-A)-усилителе лазерной системы THL-100 А. Г. Ястремский, В. Ф. Лосев
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Subject(s): численное моделирование | гибридные лазерные системы | спектральная плотность энергииGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Известия высших учебных заведений. Физика Т. 64, № 2. С. 3-9Abstract: Методами численного моделирования изучается эволюция спектральных характеристик частотно-модулированного входного излучения длительностью 250 пс с энергией 2 мДж и центральной длиной волны λ = 475 нм в газовом XeF(C-A)-усилителе лазерной системы THL-100. Исследованы закономерности изменения спектральной плотности энергии излучения. При энергии ВУФ-излучения накачки усилителя 270 Дж максимальная спектральная плотность энергии выходного излучения составляет 0.92 и 0.91 Дж⋅нм–1 при положительном и отрицательном чирпе соответственно. Показано, что в режиме насыщения усиления длина волны излучения с максимальной спектральной плотностью энергии при положительном чирпе увеличивается: 475 → 477.8 нм, а при отрицательном уменьшается: 475 → 472.5 нм.
Библиогр.: 20 назв.
Методами численного моделирования изучается эволюция спектральных характеристик частотно-модулированного входного излучения длительностью 250 пс с энергией 2 мДж и центральной длиной волны λ = 475 нм в газовом XeF(C-A)-усилителе лазерной системы THL-100. Исследованы закономерности изменения спектральной плотности энергии излучения. При энергии ВУФ-излучения накачки усилителя 270 Дж максимальная спектральная плотность энергии выходного излучения составляет 0.92 и 0.91 Дж⋅нм–1 при положительном и отрицательном чирпе соответственно. Показано, что в режиме насыщения усиления длина волны излучения с максимальной спектральной плотностью энергии при положительном чирпе увеличивается: 475 → 477.8 нм, а при отрицательном уменьшается: 475 → 472.5 нм.
There are no comments on this title.