Scientific Library of Tomsk State University

   Digital catalogue        

Моделирование эпитаксиального формирования двумерных материалов на основе кремния и германия К. А. Лозовой, В. П. Винарский, А. П. Коханенко

By: Лозовой, Кирилл АлександровичContributor(s): Винарский, Владимир Петрович | Коханенко, Андрей ПавловичMaterial type: ArticleArticleContent type: Текст Media type: электронный Subject(s): физико-математические модели | эпитаксиальный синтез | двумерные материалыGenre/Form: статьи в сборниках Online resources: Click here to access online In: Нанофизика и наноэлектроника : труды XXV Международного симпозиума, 9-12 марта 2021 г., Нижний Новгород Т. 2 : Секция 3. С. 743Abstract: В настоящей работе строится физико-математическая модель эпитаксиального синтеза на различных подложках двумерных материалов IV группы — силицена и германена. Рассматриваются различные стадии формирования двумерного слоя толщиной от одного до нескольких монослоев, а также появления двумерных островков. Особое внимание уделяется установлению возможностей преодоления нуклеации островков и предотвращения нежелательного перехода от двумерного к трехмерному росту.
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
No physical items for this record

Библиогр.: 4 назв.

В настоящей работе строится физико-математическая модель эпитаксиального синтеза на различных подложках двумерных материалов IV группы — силицена и германена. Рассматриваются различные стадии формирования двумерного слоя толщиной от одного до нескольких монослоев, а также появления двумерных островков. Особое внимание уделяется установлению возможностей преодоления нуклеации островков и предотвращения нежелательного перехода от двумерного к трехмерному росту.

There are no comments on this title.

to post a comment.
Share