Моделирование эпитаксиального формирования двумерных материалов на основе кремния и германия К. А. Лозовой, В. П. Винарский, А. П. Коханенко
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Subject(s): физико-математические модели | эпитаксиальный синтез | двумерные материалыGenre/Form: статьи в сборниках Online resources: Click here to access online
In:
Нанофизика и наноэлектроника : труды XXV Международного симпозиума, 9-12 марта 2021 г., Нижний Новгород Т. 2 : Секция 3. С. 743Abstract: В настоящей работе строится физико-математическая модель эпитаксиального синтеза на различных подложках двумерных материалов IV группы — силицена и германена. Рассматриваются различные стадии формирования двумерного слоя толщиной от одного до нескольких монослоев, а также появления двумерных островков. Особое внимание уделяется установлению возможностей преодоления нуклеации островков и предотвращения нежелательного перехода от двумерного к трехмерному росту.
Библиогр.: 4 назв.
В настоящей работе строится физико-математическая модель эпитаксиального синтеза на различных подложках двумерных материалов IV группы — силицена и германена. Рассматриваются различные стадии формирования двумерного слоя толщиной от одного до нескольких монослоев, а также появления двумерных островков. Особое внимание уделяется установлению возможностей преодоления нуклеации островков и предотвращения нежелательного перехода от двумерного к трехмерному росту.
There are no comments on this title.