Normal view
MARC view
Эффект переключения в обратно смещенных ???-v-n-структурах на основе GaAs<Fe> В. И. Гаман, В. М. Диамант, Г. М. Фукс
Material type:
ArticleSubject(s): арсенид галлия | физика полупроводников | полупроводники | труды ученых ТГУ
In:
Физика и техника полупроводников Т. 13, вып. 12. С. 2302-2307
No physical items for this record
Библиогр.: 9 назв.
There are no comments on this title.