Свойства резистивных структур на основе полиморфных фаз оксида галлия В. М. Калыгина, В. И. Николаев, А. В. Алмаев [и др.]
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Subject(s): оксид галлия | пленки | метод хлоридной газофазной эпитаксии | полиморфизм | ультрафиолет | солнечно-слепые детекторыGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Письма в журнал технической физики Т. 46, вып. 17. С. 33-36Abstract: Рассмотрено влияние УФ-излучения и сильного электрического поля на вольт-амперные характеристики
резистивных структур на основе полиморфных пленок оксида галлия (Ga2O3). Пленки Ga2O3 осаждались
методом хлоридной газофазной эпитаксии (HVPE) на гладкие и структурированные сапфировые подложки
с базисной ориентацией (0001). На гладких подложках растут пленки α-Ga2O3, а на структурированных —
пленки оксида галлия, содержащие α- и ε-фазы. В структурах металл/Ga2O3/металл на основе двухфазных
пленок обнаружен эффект переключения. При воздействии излучения с λ = 254 nm и сильного электрическо-
го поля структуры переходят из состояния с низким сопротивлением в состояние с высоким сопротивлением.
Библиогр.: 14 назв.
Рассмотрено влияние УФ-излучения и сильного электрического поля на вольт-амперные характеристики
резистивных структур на основе полиморфных пленок оксида галлия (Ga2O3). Пленки Ga2O3 осаждались
методом хлоридной газофазной эпитаксии (HVPE) на гладкие и структурированные сапфировые подложки
с базисной ориентацией (0001). На гладких подложках растут пленки α-Ga2O3, а на структурированных —
пленки оксида галлия, содержащие α- и ε-фазы. В структурах металл/Ga2O3/металл на основе двухфазных
пленок обнаружен эффект переключения. При воздействии излучения с λ = 254 nm и сильного электрическо-
го поля структуры переходят из состояния с низким сопротивлением в состояние с высоким сопротивлением.
There are no comments on this title.