Scientific Library of Tomsk State University

   Digital catalogue        

Исследование способов получения и временной стабильности нанослоев GaSe и InSe Р. А. Редькин, Д. А. Кобцев, С. А. Березная [и др.]

Contributor(s): Кобцев, Даниил Александрович | Березная, Светлана Александровна | Коротченко, Зоя Владимировна | Новиков, Вадим Александрович | Саркисов, Сергей Юрьевич | Редькин, Руслан АлександровичMaterial type: ArticleArticleContent type: Текст Media type: электронный Subject(s): селенид галлия | селенид индия | нанослои | квазидвумерные полупроводники | химическое осаждение из газовой фазы | морфология поверхности | кремниевые подложкиGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online In: Известия высших учебных заведений. Физика Т. 63, № 9. С. 50-54Abstract: Нанослои GaSe и InSe получены на подложках из кремния методами механического отслоения и осаждения из паровой фазы. С помощью атомно-силовой микроскопии исследована морфология поверхностей и определены толщины получаемых нанослоев InSe и GaSe, а также их временная стабильность. Установлено соответствие спектрального положения пиков комбинационного рассеяния положению пиков, известных для объемных и наноразмерных образцов InSe и GaSe.
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
No physical items for this record

Библиогр.: 16 назв.

Ограниченный доступ

Нанослои GaSe и InSe получены на подложках из кремния методами механического отслоения и осаждения из паровой фазы. С помощью атомно-силовой микроскопии исследована морфология поверхностей и определены толщины получаемых нанослоев InSe и GaSe, а также их временная стабильность. Установлено соответствие спектрального положения пиков комбинационного рассеяния положению пиков, известных для объемных и наноразмерных образцов InSe и GaSe.

There are no comments on this title.

to post a comment.
Share