Анодные пленки Gа2O3, полученные окислением пластин n-GaAs в гальваностатическом режиме Ю. С. Петрова, А. В. Алмаев, В. М. Калыгина [и др.]
Material type: ArticleSubject(s): термический отжиг | УФ-излучение | пленки оксида галлияGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online In: Известия высших учебных заведений. Физика Т. 63, № 5. С. 154-158Abstract: Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/ n -GaAs с анодными пленками оксида галлия, полученными окислением n -GaAs в гальваностатическом режиме. Пленки оксида галлия без термического отжига чувствительны к УФ-излучению с λ = 222 нм только при обратных смещениях. Термический отжиг исследуемых пленок не меняет механизма протекания тока в структурах, при этом чувствительность структур Ga2O3/ n -GaAs к УФ-излучению повышается на порядок.Библиогр.: 5 назв.
Ограниченный доступ
Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/ n -GaAs с анодными пленками оксида галлия, полученными окислением n -GaAs в гальваностатическом режиме. Пленки оксида галлия без термического отжига чувствительны к УФ-излучению с λ = 222 нм только при обратных смещениях. Термический отжиг исследуемых пленок не меняет механизма протекания тока в структурах, при этом чувствительность структур Ga2O3/ n -GaAs к УФ-излучению повышается на порядок.
There are no comments on this title.