Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Анодные пленки Gа2O3, полученные окислением пластин n-GaAs в гальваностатическом режиме Ю. С. Петрова, А. В. Алмаев, В. М. Калыгина [и др.]

Contributor(s): Алмаев, Алексей Викторович | Калыгина, Вера Михайловна | Таллер, Елена Викторовна | Щербаков, Петр Сергеевич | Петрова, Юлианна СергеевнаMaterial type: ArticleArticleSubject(s): термический отжиг | УФ-излучение | пленки оксида галлияGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online In: Известия высших учебных заведений. Физика Т. 63, № 5. С. 154-158Abstract: Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/ n -GaAs с анодными пленками оксида галлия, полученными окислением n -GaAs в гальваностатическом режиме. Пленки оксида галлия без термического отжига чувствительны к УФ-излучению с λ = 222 нм только при обратных смещениях. Термический отжиг исследуемых пленок не меняет механизма протекания тока в структурах, при этом чувствительность структур Ga2O3/ n -GaAs к УФ-излучению повышается на порядок.
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
No physical items for this record

Библиогр.: 5 назв.

Ограниченный доступ

Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/ n -GaAs с анодными пленками оксида галлия, полученными окислением n -GaAs в гальваностатическом режиме. Пленки оксида галлия без термического отжига чувствительны к УФ-излучению с λ = 222 нм только при обратных смещениях. Термический отжиг исследуемых пленок не меняет механизма протекания тока в структурах, при этом чувствительность структур Ga2O3/ n -GaAs к УФ-излучению повышается на порядок.

There are no comments on this title.

to post a comment.
Share