Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Пакетный импульсный режим дуального магнетронного распыления В. О. Оскирко, А. Н. Захаров, А. П. Павлов [и др.]

Contributor(s): Захаров, Александр Николаевич | Павлов, Артем Павлович | Работкин, Сергей Викторович | Семенов, Вячеслав Аркадьевич | Оскирко, Владимир ОлеговичMaterial type: ArticleArticleSubject(s): дуальная магнетронная распылительная система | реактивное магнетронное распыление | пакетно-импульсное магнетронное распыление высокой мощности | сильноточное импульсное магнетронное распылениеGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online In: Известия высших учебных заведений. Физика Т. 62, № 7. С. 89-96Abstract: Приводятся результаты экспериментального исследования разряда, формируемого дуальной (DU) магнетронной распылительной системой (МРС) с алюминиевыми мишенями в режиме пакетно-импульсного магнетронного распыления высокой мощности (Deep Oscillation Magnetron Sputtering – DOMS). Особенностью питания разряда в режиме DOMS является применение последовательности униполярных микроимпульсов короткой длительности и высокой мощности, которые образуют макроимпульсы длительностью 1000–3000 мкс. Ранее такой режим распыления применялся только в одиночных МРС. В данной работе режим DOMS впервые был исследован на дуальной магнетронной распылительной системе. С помощью тройного и одиночного ленгмюровских зондов были измерены основные параметры плазмы. Установлена зависимость параметров плазмы от параметров импульсного электропитания разряда: амплитуды напряжения и тока, плотности тока и плотности мощности на поверхности мишеней. Результаты экспериментов показали, что применение дуального пакетно-импульсного магнетронного распыления позволяет значительно повысить концентрацию плазмы и плотность ионного тока на подложке по сравнению с традиционными режимами магнетронного распыления на постоянном и среднечастотном токе. Отношение плотности потока ионов к плотности потока нейтральных атомов, характеризующее уровень ионного воздействия на растущее покрытие в режиме DU DOMS, достигало значения 0.28, тогда как в режиме постоянного тока оно составляло 0.008.
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
No physical items for this record

Библиогр.: 15 назв.

Ограниченный доступ

Приводятся результаты экспериментального исследования разряда, формируемого дуальной (DU) магнетронной распылительной системой (МРС) с алюминиевыми мишенями в режиме пакетно-импульсного магнетронного распыления высокой мощности (Deep Oscillation Magnetron Sputtering – DOMS). Особенностью питания разряда в режиме DOMS является применение последовательности униполярных микроимпульсов короткой длительности и высокой мощности, которые образуют макроимпульсы длительностью 1000–3000 мкс. Ранее такой режим распыления применялся только в одиночных МРС. В данной работе режим DOMS впервые был исследован на дуальной магнетронной распылительной системе. С помощью тройного и одиночного ленгмюровских зондов были измерены основные параметры плазмы. Установлена зависимость параметров плазмы от параметров импульсного электропитания разряда: амплитуды напряжения и тока, плотности тока и плотности мощности на поверхности мишеней. Результаты экспериментов показали, что применение дуального пакетно-импульсного магнетронного распыления позволяет значительно повысить концентрацию плазмы и плотность ионного тока на подложке по сравнению с традиционными режимами магнетронного распыления на постоянном и среднечастотном токе. Отношение плотности потока ионов к плотности потока нейтральных атомов, характеризующее уровень ионного воздействия на растущее покрытие в режиме DU DOMS, достигало значения 0.28, тогда как в режиме постоянного тока оно составляло 0.008.

There are no comments on this title.

to post a comment.
Share