Механизм проводимости гетеропереходов Ga2O3-GaAs И. Л. Ремизова, В. М. Калыгина, О. П. Толбанов
Material type:
ArticleOther title: Cconduction mechanism of Ga2O3-GaAs heterojunctions [Parallel title]Subject(s): пленки Ga2O3 | термический отжиг | гетеропереходы | проводимостьGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 12/2. С. 241-245Abstract: Показано, что проводимость структур Ga2O3- п -GaAs при положительных потенциалах на затворе определяется термоэлектронной эмиссией из GaAs в Ga2O3. При отрицательных смещениях проводимость структур обусловлена термополевой эмиссией в арсениде галлия. В области сильных электрических полей преобладает туннелирование электронов через вершину потенциального барьера, облегченное фононами.
Библиогр.: 7 назв.
Ограниченный доступ
Показано, что проводимость структур Ga2O3- п -GaAs при положительных потенциалах на затворе определяется термоэлектронной эмиссией из GaAs в Ga2O3. При отрицательных смещениях проводимость структур обусловлена термополевой эмиссией в арсениде галлия. В области сильных электрических полей преобладает туннелирование электронов через вершину потенциального барьера, облегченное фононами.
There are no comments on this title.