Scientific Library of Tomsk State University

   Digital catalogue        

Релаксация электрофизических параметров эпитаксиальных пленок КРТ при воздействии высокочастотного наносекундного объемного разряда в воздухе атмосферного давления А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, П. А. Ермаченков [и др.]

Contributor(s): Григорьев, Денис Валерьевич | Ермаченков, Павел Андреевич | Тарасенко, Виктор Федотович | Шулепов, Михаил Александрович | Ерофеев, Михаил Владимирович | Рипенко, Василий Сергеевич | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Войцеховский, Александр ВасильевичMaterial type: ArticleArticleOther title: The relaxation of electrophysical properties of MCT epitaxial films after influence of a high frequency nanosecond volume discharge in atmospheric pressure air [Parallel title]Subject(s): эпитаксиальные пленки | наносекундные разряды | электрофизические свойства | релаксация | атмосферное давлениеGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online In: Известия высших учебных заведений. Физика Т. 61, № 8/2. С. 132-136Abstract: Представлены экспериментальные результаты исследования влияния высокочастотного наносекундного диффузного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиальных пленок КРТ. Анализ магнитополевых зависимостей коэффициента Холла показал, что в результате облучения в приповерхностной области материала образуется высокопроводящий слой n-типа проводимости. Показано, что после облучения наблюдается релаксация значений электрофизических параметров эпитаксиальных пленок к исходным значениям.
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
No physical items for this record

Библиогр.: 6 назв.

Ограниченный доступ

Представлены экспериментальные результаты исследования влияния высокочастотного наносекундного диффузного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиальных пленок КРТ. Анализ магнитополевых зависимостей коэффициента Холла показал, что в результате облучения в приповерхностной области материала образуется высокопроводящий слой n-типа проводимости. Показано, что после облучения наблюдается релаксация значений электрофизических параметров эпитаксиальных пленок к исходным значениям.

There are no comments on this title.

to post a comment.
Share