Влияние режимов ионно-лучевого травления на процесс радиационного нагрева CdxHg1-xTe Н. Х. Талипов, А. В. Войцеховский
Material type:
ArticleOther title: Influence of the ion etching modes on radiation heating process of CdxHg1-xTe [Parallel title]Subject(s): радиационные дефекты | ионно-лучевое травление | ионная имплантация | инфракрасные фотодетекторы | кристаллыGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Прикладная физика № 4. С. 61-67Abstract: Представлены расчеты нагрева кристалла CdxHg1-xTe (КРТ) с x = 0,22 в процессе ионнолучевого травления (ИЛТ) низкоэнергетическими ионами Ar+. Показано, что при хорошем тепловом контакте кристалла и охлаждаемого столика установки нагрев КРТ не превышает 0,2 оС. В случае полного отсутствия теплового контакта образца и столика радиационный нагрев кристалла может превышать 120 оС. Проведено сравнение нагрева КРТ в процессе ИЛТ Ar+ и ионной имплантации аргона.
Библиогр.: 24 назв.
Представлены расчеты нагрева кристалла CdxHg1-xTe (КРТ) с x = 0,22 в процессе ионнолучевого травления (ИЛТ) низкоэнергетическими ионами Ar+. Показано, что при хорошем тепловом контакте кристалла и охлаждаемого столика установки нагрев КРТ не превышает 0,2 оС. В случае полного отсутствия теплового контакта образца и столика радиационный нагрев кристалла может превышать 120 оС. Проведено сравнение нагрева КРТ в процессе ИЛТ Ar+ и ионной имплантации аргона.
There are no comments on this title.