Scientific Library of Tomsk State University

   Digital catalogue        

Спектры пропускания и генерация терагерцовых импульсов в структурах SiO2-GaSe, TiO2-GaSe, Ga2O3-GaSe и GaSe:S С. А. Березная, А. Н. Зарубин, З. В. Коротченко и др.

Contributor(s): Березная, Светлана Александровна | Коротченко, Зоя Владимировна | Прудаев, Илья Анатольевич | Редькин, Руслан Александрович | Саркисов, Сергей Юрьевич | Толбанов, Олег Петрович | Зарубин, Андрей НиколаевичMaterial type: ArticleArticleSubject(s): спектры пропускания | тонкие пленки | генерация терагерцового излучения | селенид галлия | оксид галлияGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online In: Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 8. С. 131-135Abstract: Проведено термическое и магнетронное напыление аморфных тонких пленок SiO 2, TiO 2 и Ga 2O 3 на поверхность кристаллов GaSe. Установлено, что при различных технологических условиях слои SiO 2 и TiO 2 на поверхности GaSe растрескиваются, в то время как Ga 2O 3 образует совершенные пленки. Проведено сравнение спектров пропускания и эффективности генерации терагерцовых импульсов в структурах SiO 2-GaSe, TiO 2-GaSe и Ga 2O 3-GaSe и кристаллах GaSe:S 0.9 мас. % и GaSe:S 7 мас. %. Установлено, что с ростом концентрации серы в кристаллах GaSe:S эффективность генерации терагерцового излучения при оптическом выпрямлении фемтосекундных лазерных импульсов уменьшается. Среди исследованных пленок на поверхности GaSe наименьшее влияние на эффективность генерации оказывает пленка SiO 2.
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
No physical items for this record

Библиогр.: 20 назв.

Проведено термическое и магнетронное напыление аморфных тонких пленок SiO 2, TiO 2 и Ga 2O 3 на поверхность кристаллов GaSe. Установлено, что при различных технологических условиях слои SiO 2 и TiO 2 на поверхности GaSe растрескиваются, в то время как Ga 2O 3 образует совершенные пленки. Проведено сравнение спектров пропускания и эффективности генерации терагерцовых импульсов в структурах SiO 2-GaSe, TiO 2-GaSe и Ga 2O 3-GaSe и кристаллах GaSe:S 0.9 мас. % и GaSe:S 7 мас. %. Установлено, что с ростом концентрации серы в кристаллах GaSe:S эффективность генерации терагерцового излучения при оптическом выпрямлении фемтосекундных лазерных импульсов уменьшается. Среди исследованных пленок на поверхности GaSe наименьшее влияние на эффективность генерации оказывает пленка SiO 2.

There are no comments on this title.

to post a comment.
Share