Scientific Library of Tomsk State University

   Digital catalogue        

Влияние импульсного наносекудного объемного разряда в воздухе атмосферного давления на магнитополевые зависимости электрофизических параметров эпитаксиальных пленок КРТ Д. В. Григорьев, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев и др.

Contributor(s): Григорьев, Денис Валерьевич | Коротаев, Александр Григорьевич | Тарасенко, Виктор Федотович | Шулепов, Михаил Александрович | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоникиMaterial type: ArticleArticleSubject(s): теллурид кадмия-ртути | объемные разряды | электрофизические параметрыGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online In: Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 10/3. С. 144-146Abstract: В работе представлены результаты экспериментальных исследований влияния объемного наносекудного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические характеристики эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Анализ измеренных магнитополевых зависимостей коэффициента Холла образцов эпитаксиальных пленок подвергнутых воздействию объемного разряда показал, что в результате облучения в приповерхностной области материала образуется высокопроводящий слой n–типа проводимости. Показано, что одним из механизмов формирования данного высокопроводящего слоя может быть формирования в приповерхностной области облученного материала химических соединений КРТ с атомами кислорода и азота.
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
No physical items for this record

Библиогр.: 5 назв.

В работе представлены результаты экспериментальных исследований влияния объемного наносекудного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические характеристики эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Анализ измеренных магнитополевых зависимостей коэффициента Холла образцов эпитаксиальных пленок подвергнутых воздействию объемного разряда показал, что в результате облучения в приповерхностной области материала образуется высокопроводящий слой n–типа проводимости. Показано, что одним из механизмов формирования данного высокопроводящего слоя может быть формирования в приповерхностной области облученного материала химических соединений КРТ с атомами кислорода и азота.

There are no comments on this title.

to post a comment.
Share