Normal view
MARC view
Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов Г. Красников
Material type:
TextLanguage: Russian Series: Мир электроникиPublication details: Москва Техносфера 2011Edition: Изд. 2-е, испрDescription: 799 с. ил., табл. 25 смISBN: 9785948362892Subject(s): транзисторы | МОП-транзисторы субмикронные | МОП-транзисторы, физические процессы | МОП-транзисторы, масштабирование | МОП- транзисторные структуры | диэлектрики подзатворные, формирование | диэлектрические слои | окислы подзатворные | нитрирование термическое | осаждение термохимическое | осаждение струйное | сток-истоковые области МОПТ, формирование | сток-истоковые области МОПТ, конструкции | каналы МОПТ, формирование | легированные слои, формирование | затворы МОПТ, формирование | затворы поликремниевые | затворы силицидные | затворы полицидные | затворы полиметаллические | затворы поликристаллические | затворы металлические | МОП-транзисторы субмикронные, надежность | МОП-транзисторы субмикронные, дефекты | деградация подзатворного диэлектрика | влияние технологических процессов
| Item type | Current library | Call number | Copy number | Status | Date due | Barcode |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Выдается в читальный зал | Книгохранилище | 2-030895 (Browse shelf (Opens below)) | 1 | Available | 13820000889173 | |
| Выдается в читальный зал | Каф. аналитической химии (ХФ) | 621.3 К782 (Browse shelf (Opens below)) | 2 | Available (Ограниченный доступ) | 13820000889174 |
Библиогр. в конце гл.
There are no comments on this title.