Normal view
MARC view
Влияние температуры облучения на кинетику накопления электронных центров в щелочно-галоидных кристаллах под действием протонов диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук А. Н. Кравец ; науч. рук. Мелик-Гайказян И. Я., Вайсбурд Д. И. ; Том. политехн. ин-т им. С. М. Кирова
Material type: TextPublication details: Томск [б. и.] 1966Description: 145 л., [26] л. илSubject(s): диссертации | щелочно-галоидные кристаллы, электронные центры | ионизирующие излучения протонные | радиационные дефекты | щелочно-галоидные кристаллы , радиационное дефектообразование | спектры поглощения | электронно-дырочные переходыItem type | Current library | Call number | Status | Date due | Barcode |
---|---|---|---|---|---|
Выдается в читальный зал | Книгохранилище | 926266 (Browse shelf (Opens below)) | Available | 13820000848046 |
Browsing Научная библиотека ТГУ shelves, Shelving location: Книгохранилище Close shelf browser (Hides shelf browser)
Библиогр.: л. 132-145
There are no comments on this title.