Normal view
MARC view
Исследование дефектов структуры в полупроводниках A3B5 методом позитронной аннигиляционной спектроскопии В. И. Графутин, О. В. Илюхина, В. В. Калугин и др.
Material type:
ArticleSubject(s): аннигиляция | полупроводники | монокристаллы кремния
In:
Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции С. 92-95
No physical items for this record
Библиогр.: 5 назв.
There are no comments on this title.