Normal view
MARC view
Релаксационные процессы в МДП - структурах на основе SI, стимулированные слабым магнитным полем Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10 Том. гос. ун-т, Сиб. физико-техн. ин-т; Науч. рук. В. Н. Давыдов, А. В. Войцеховский
Material type:
TextPublication details: Томск 1998Description: 190 с. [13] л. прилSubject(s): магнитное поле | релаксационные процессы | поверхностные явления | металлы | диэлектрики | полупроводники | фотоэлектрические свойства | дефекты | заряды | неоднородные среды | кристаллическая структура | электрофизические свойства | фотодиоды | импульсные источники
| Item type | Current library | Call number | Copy number | Status | Date due | Barcode |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Выдается в читальный зал | Книгохранилище | 1-837231к (Browse shelf (Opens below)) | 1 | Available | 13820000021668 |
Библиогр.: с. 176-190
There are no comments on this title.