Normal view
MARC view
Политическое в трудах конфуцианцев и легистов Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата политических наук. 23.00.01.
By: Викулин, Сергей ЮрьевичMaterial type: TextPublication details: М. 2002Description: 24 сSubject(s): Теория политики, история и методология политической науки (политические науки) | авторефераты диссертацийItem type | Current library | Call number | Copy number | Status | Date due | Barcode |
---|---|---|---|---|---|---|
Выдается в читальный зал | Книгохранилище | 1-896700к Ф (Browse shelf (Opens below)) | 1 | Available | 13820000394414 |
Библиогр.: с.23-24
-
1
Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок
-
2
Измерения параметров полупроводниковых материалов
by Ковтонюк, Николай Филиппович. -
3
Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок
-
4
Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок
-
5
Арсенид галлия
-
6
Исследование свойств полупроводниковых пленок и методов обработки информации
-
7
Учебно-методическое пособие для практических занятий студентов по дисциплине "Физика низкоразмерных структур"
by Симунин, Михаил Максимович -
8
Тонкие ферромагнитные пленки
-
9
Низкочастотная динамика доменной структуры в пленках ферритов-гранатов
by Свидерский, Алексей Эдуардович. -
10
Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by Денисов, Юрий Алексеевич. -
11
Широкозонные полупроводники
-
12
Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов CdS - GaAs, полученных эпитаксией сульфида кадмия из паровой фазы
by Лупин, Владимир Михайлович -
13
Физика сегнетоэлектриков
-
14
Влияние атомарного водорода на свойства тонких эпитаксиальных слоев n-GaAs и структур на их основе
by Торхов, Николай Анатольевич. -
15
Исследование морфологии и электронных свойств поверхности пленок AIII BV и контактов металл/AIII BV методом атомно-силовой микроскопии
by Новиков, Вадим Александрович -
16
Химия твердого тела
by Кнотько, Александр Валерьевич -
17
Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках А2В6
by Логинов, Юрий Юрьевич. -
18
Физика твердого тела
-
19
Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок
by Александров, Леонид Наумович. -
20
Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г.
-
21
40 лет Научно-исследовательскому институту полупроводниковых приборов
-
22
Роль винтовой дислокационной составляющей в пластической релаксации полупроводниковых гетеросистем (анализ процесса и моделирование)
by Колесников, Алексей Викторович. -
23
Материаловедение в микроэлектронике
by Палатник, Лев Самойлович. -
24
Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП-9)
-
25
МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
by Акчурин, Рауф Хамзинович -
26
Технология получения и электрические свойства соединений А3В5
-
27
Дефекты структуры в полупроводниках
-
28
Наноматериалы
by Белянин, Алексей Федорович -
29
Некоторые свойства гетеропереходов ZnS - GaAs
by Кузнецов, М. Ф. -
30
Химия и термодинамика полупроводниковых соединений
by Гудымович, Елена Никифоровна. -
31
VIII Российская научная студенческая конференция "Физика твердого тела", 14-16 мая 2002 г. , Томск, Россия
-
32
Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V"(3-5 октября 2006 г., Томск, Россия)
-
33
6 Международная конференция по росту кристаллов, Москва, 10-16 сентября 1980
-
34
Химия и технология ферритов
by Летюк, Леонид Михайлович. -
35
Электрофизические свойства облученных электронами эпитаксиальных пленок GaN1
-
36
Моделирование параметров транзисторов на основе эпитаксиальных пленок GeSi/Si, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by Кравцова, Наталья Сергеевна -
37
Применение эпитаксиальных пленок КРТ, для создания фотоприемников ИК диапозона
by Дацко, Д. И. -
38
Воздействие высокоэнергетических частиц на эпитаксиальные пленки КРТ, выращенные методом МЛЭ
by Леонтьев, Дмитрий Владимирович -
39
Surface structure of thin pseudomorphous GeSi layers
by Nikiforov, Alexander I. -
40
Рентгенографическое исследование совершенства структуры монокристаллов арсенида галлия
by Захаров, Б. Г. -
41
Влияние импульсного наносекудного объемного разряда в воздухе атмосферного давления на электронные свойства поверхности эпитаксиальных пленок КРТ
-
42
Nano‑scale structural studies of defects in arsenic‑implanted n and p‑type HgCdTe films
-
43
Исследование рельефа и поверхностного потенциала эпитаксиальных пленок GaAs методом атомно-силовой микроскопии
-
44
Электрофизические свойства эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, после низкоэнергетического ионного воздействия
by Волков, В. С. -
45
Changes in the electro-physical propertyies of MCT epitaxial films affected by a plasma volume discharge induced by an avalache beam in atmospheric-pressure air
-
46
Влияние условий зарождения пленок GaN на их полярность при молекулярно-лучевой эпитаксии
by Хамзин, Т. Х. -
47
Облучение высокоэнергетическими электронами эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by Григорьев, Денис Валерьевич -
48
Фотоэлектрические параметры эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом МЛЭ
by Волков, А. И. -
49
Поликристаллические пленки арсенида галлия на инородных подложках
-
50
Влияние фонового излучения на фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок КРТ МЛЭ
There are no comments on this title.