Normal view
MARC view
Модельное представление пропускания мощного импульсного лазерного ИК-излучения в области фундаментального поглощения в эпитаксиальных слоях CdxHg1–xTe А. В. Войцеховский, С. А. Шульга, В. Г. Средин, Н. Х. Талипов
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Subject(s): ИК-излучение | лазерное излучение импульсное | тепловой нагрев | эпитаксиальные слоиGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Известия высших учебных заведений. Физика Т. 53, № 9. С. 54-58Abstract: Представлена модель изменения пропускания мощных лазерных импульсов с учетом изменения с температурой оптических параметров материала CdxHg1–xTe. Рассчитаны тепловые поля, профили коэффициента поглощения и пропускание полупроводниковой эпитаксиальной структуры. Проведено сравнение с экспериментальными данными на длине волны лазера на углекислом газе.
No physical items for this record
Библиогр.: 8 назв.
Представлена модель изменения пропускания мощных лазерных импульсов с учетом изменения с температурой оптических параметров материала CdxHg1–xTe. Рассчитаны тепловые поля, профили коэффициента поглощения и пропускание полупроводниковой эпитаксиальной структуры. Проведено сравнение с экспериментальными данными на длине волны лазера на углекислом газе.
There are no comments on this title.