Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Моделирование прохождения многозарядных ионов через кристаллы В. С. Малышевский, Д. А. Трухов

By: Малышевский, Вячеслав СергеевичContributor(s): Трухов, Данил АлексеевичMaterial type: ArticleArticleContent type: Текст Media type: электронный Subject(s): многозарядные ионы | компьютерное моделирование | каналированиеGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online In: Известия высших учебных заведений. Физика Т. 53, № 7. С. 73-77Abstract: Проведено численное моделирование влияния процессов перезарядки на угловые распределения квазиизотропных пучков многозарядных ионов после прохождения ориентированных кристаллов и дана интерпретация обнаруженным недавно эффектам охлаждения и нагрева пучков ионов.
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
No physical items for this record

Библиогр.: 7 назв.

Проведено численное моделирование влияния процессов перезарядки на угловые распределения квазиизотропных пучков многозарядных ионов после прохождения ориентированных кристаллов и дана интерпретация обнаруженным недавно эффектам охлаждения и нагрева пучков ионов.

There are no comments on this title.

to post a comment.
Share