Высокая чувствительность пленок оксида индия, полученных методом хлоридной газофазной эпитаксии, к аммиаку Д. А. Алмаев, А. В. Алмаев, В. И. Николаев [и др.]
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Other title: High sensitivity of halide vapor phase epitaxy grown indium oxide films to ammonia [Parallel title]Subject(s): пленки оксида индия | хлоридная газофазная эпитаксия | газочувствительные свойства | сигналы-откликиGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Физика и техника полупроводников Т. 57, № 3. С. 145-152Abstract: Исследовано влияние H2, NH3, CO и O2 на электропроводящие свойства пленок In2O3, полученных методом хлоридной газофазной эпитаксии. В интервале температур 200-550oC пленки In2O3 демонстрируют газовую чувствительность ко всем рассмотренным газам, имея относительно высокое быстродействие и повторяемость циклов. Наибольший отклик был получен при воздействии NH3, который при температуре 400oС и концентрации газа 1000 млн-1 превысил 33 отн.ед. Предложен качественный механизм газовой чувствительности пленок In2O3. Полученные газочувствительные характеристики сопоставлены с известными сенсорами NH3 на основе различных материалов. Показано, что метод хлоридной газофазной эпитаксии позволяет получать пленки оксида индия с высокой газовой чувствительностью.
Библиогр.: 46 назв.
Исследовано влияние H2, NH3, CO и O2 на электропроводящие свойства пленок In2O3, полученных методом хлоридной газофазной эпитаксии. В интервале температур 200-550oC пленки In2O3 демонстрируют газовую чувствительность ко всем рассмотренным газам, имея относительно высокое быстродействие и повторяемость циклов. Наибольший отклик был получен при воздействии NH3, который при температуре 400oС и концентрации газа 1000 млн-1 превысил 33 отн.ед. Предложен качественный механизм газовой чувствительности пленок In2O3. Полученные газочувствительные характеристики сопоставлены с известными сенсорами NH3 на основе различных материалов. Показано, что метод хлоридной газофазной эпитаксии позволяет получать пленки оксида индия с высокой газовой чувствительностью.
There are no comments on this title.