Физико-химические и электрофизические свойства тонких пленок β-Ga2O3:Zn, полученных методом PECVD Л. А. Мочалов, М. А. Кудряшов, А. Я. Поляков [и др.]
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Other title: Physico-chemical and electrophysical properties of thin β-GA2O3:Zn films produced by the PECVD method [Parallel title]Subject(s): тонкие пленки | оксид галлия | катодная люминесценция | электрические свойстваGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Известия высших учебных заведений. Физика Т. 66, № 7. С. 66-73Abstract: Впервые тонкие пленки системы β-Ga2O3:Zn (содержание Zn от 0 до 10 ат.%) были получены методом плазмохимического осаждения из газовой фазы (PECVD) в условиях низкотемпературной неравновесной плазмы индуктивносвязанного высокочастотного (40.68 МГц) разряда при пониженном давлении (0.01 Торр). При этом непосредственно высокочистые элементы – металлические высокочистые галлий и цинк, а также высокочистый кислород использовали в качестве источников макрокомпонентов. Были изучены химический состав, морфология поверхности, спектры комбинационного рассеяния полученных тонких пленок β-Ga2O3:Zn, а также спектры катодной люминесценции и электрофизические свойства.
Библиогр.: 20 назв.
Ограниченный доступ
Впервые тонкие пленки системы β-Ga2O3:Zn (содержание Zn от 0 до 10 ат.%) были получены методом плазмохимического осаждения из газовой фазы (PECVD) в условиях низкотемпературной неравновесной плазмы индуктивносвязанного высокочастотного (40.68 МГц) разряда при пониженном давлении (0.01 Торр). При этом непосредственно высокочистые элементы – металлические высокочистые галлий и цинк, а также высокочистый кислород использовали в качестве источников макрокомпонентов. Были изучены химический состав, морфология поверхности, спектры комбинационного рассеяния полученных тонких пленок β-Ga2O3:Zn, а также спектры катодной люминесценции и электрофизические свойства.
There are no comments on this title.