Normal view
MARC view
Characterisation of the HEXITEC4S X-ray spectroscopic imaging detector incorporating through-silicon via (TSV) technology (Record no. 997249)
[ view plain ]
000 -Маркер записи | |
---|---|
Контрольное поле постоянной длины | 03513nab a2200481 c 4500 |
001 - Контрольный номер | |
Контрольное поле | koha000997249 |
005 - Дата корректировки | |
Контрольное поле | 20230414151949.0 |
007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
Контрольное поле постоянной длины | cr | |
008 - Кодируемые данные | |
Контрольное поле постоянной длины | 230222|2022 ne s a eng d |
024 7# - Прочие стандартные номера | |
Стандартный номер | 10.1016/j.nima.2021.166083 |
Источник номера | doi |
035 ## - Системный контрольный номер | |
Системный контрольный номер | koha000997249 |
040 ## - Источник каталогиз. | |
Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
Код языка каталог. | rus |
Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
245 10 - Заглавие | |
Заглавие | Characterisation of the HEXITEC4S X-ray spectroscopic imaging detector incorporating through-silicon via (TSV) technology |
Ответственность | M. C. Veale, P. Booker, I. Church [et al.] |
336 ## - Тип содержимого | |
Тип содержимого | Текст |
337 ## - Средство доступа | |
Средство доступа | электронный |
504 ## - Библиография | |
Библиография | Библиогр.: 30 назв. |
520 3# - Аннотация | |
Аннотация | In this paper a new version of the HEXITEC spectroscopic imaging technology is presented. The HEXITEC ASIC maintains the same pixel electronics but, unlike the previous design, contains no I/O pads on the top surface of the ASIC. The I/O pads, used for control and readout, are now produced on the bottom metal layer of the ASIC and are accessed using a deep through-silicon via process (TSV) developed by TMicro (Japan). Wire bonding then takes place on a redistribution layer produced on the rear surface of the ASIC. The use of this TSV processing means that devices are four-side-buttable and can be used to produce detectors from multiple modules with minimal dead area. TSV processing was completed on two wafers of HEXITEC devices and probe testing demonstrated a working ASIC yield of 75% and 43% for the two wafers. In order to test the performance of detectors, a 100 mm diameter wafer of spectroscopic grade GaAs:Cr was fabricated by Tomsk State University (Russia). The wafer consisted of HEXITEC and standard HEXITEC devices which allows the performance of the TSV detectors to be compared to those of the standard system using sensor material with near-identical properties. A comparison of the spectroscopic performance of these devices demonstrated a relatively minor difference between the HEXITEC and HEXITEC devices with FWHM measured to be 4.1 keV and 4.5 keV respectively. These results demonstrate that this deep TSV processing for the redistribution of the detector I/O can be successfully used to produce flat panels of HEXITEC detectors with minimal dead area between modules. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | 3D-интеграция |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | гибридные пиксельные детекторы |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | детекторы рентгеновского излучения |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | рентгеновская спектроскопия |
655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
Жанр/форма | статьи в журналах |
9 (RLIN) | 879358 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Veale, Matthew C. |
9 (RLIN) | 135285 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Booker, P. |
9 (RLIN) | 877361 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Church, I. |
9 (RLIN) | 877362 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Jones, L. L. |
9 (RLIN) | 877363 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Lipp, J. |
9 (RLIN) | 877364 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Schneider, Andreas |
9 (RLIN) | 135281 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Seller, Paul H. |
9 (RLIN) | 135282 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Wilson, Matthew D. |
9 (RLIN) | 135283 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Chsherbakov, Ivan |
9 (RLIN) | 816228 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Kolesnikova, Irina I. |
9 (RLIN) | 806188 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Lozinskaya, Anastassiya D. |
9 (RLIN) | 816210 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Novikov, Vladimir A. |
9 (RLIN) | 90185 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Tolbanov, Oleg P. |
9 (RLIN) | 95834 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Tyazhev, Anton V. |
9 (RLIN) | 95833 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Zarubin, Andrei N. |
9 (RLIN) | 816222 |
773 0# - Источник информации | |
Название источника | Nuclear instruments and methods in physics research. Section A : accelerators, spectrometers, detectors and associated equipment |
Место и дата издания | 2022 |
Прочая информация | Vol. 1025. P. 166083 (1-9) |
ISSN | 0168-9002 |
Контрольный № источника | to000480608 |
852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
Код организации-хранителя | RU-ToGU |
856 4# - Электронный адрес документа | |
URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000997249">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000997249</a> |
908 ## - Параметр входа данных | |
Параметр входа данных | статья |
999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
biblionumber (Koha) | 997249 |
No items available.