Normal view
MARC view
Formation of dislocations in the process of impurity diffusion in GaAs (Record no. 997193)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 02220nab a2200349 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | koha000997193 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20230320020504.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 230221|2022 ru s a eng d |
| 024 7# - Прочие стандартные номера | |
| Стандартный номер | 10.1007/s11182-022-02596-3 |
| Источник номера | doi |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | koha000997193 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Formation of dislocations in the process of impurity diffusion in GaAs |
| Ответственность | S. S. Khludkov, I. A. Prudaev, O. P. Tolbanov, I. V. Ivonin |
| 336 ## - Тип содержимого | |
| Тип содержимого | Текст |
| 337 ## - Средство доступа | |
| Средство доступа | электронный |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: 19 назв. |
| 520 3# - Аннотация | |
| Аннотация | A study of the formation of dislocations in the process of impurity diffusion in GaAs has been carried out. The formation of dislocations in GaAs diffusion layers doped with various impurities (elements of II, IV, and VI groups and transition elements) is studied, depending on the conditions of diffusion. It is shown that during the diffusion of impurities in GaAs, in the diffusion layers, dislocations are formed, the density of which in the layers doped to the limiting surface concentrations can reach 108 cm–2. As the surface concentration of the diffusing impurity decreases, the dislocation density decreases. The diffusion conditions are determined, under which no additional dislocations are formed. Based on a comparison of the obtained experimental data and the results of the performed calculation, it was concluded that the formation of dislocations during the diffusion of impurities in GaAs is due to the gradient of the impurity concentration. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | арсенид галлия |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | диффузия |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | механические напряжения |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | дислокационное образование |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в журналах |
| 9 (RLIN) | 879358 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Khludkov, Stanislav S. |
| 9 (RLIN) | 439488 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Prudaev, Ilya A. |
| 9 (RLIN) | 99979 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Tolbanov, Oleg P. |
| 9 (RLIN) | 95834 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Ivonin, Ivan V. |
| 9 (RLIN) | 208660 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | Russian physics journal |
| Место и дата издания | 2022 |
| Прочая информация | Vol. 64, № 12. P. 2350-2356 |
| ISSN | 1064-8887 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 4# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000997193">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000997193</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 997193 |
No items available.