Normal view
MARC view
Role of oxygen and fluorine in passivation of the GaSb(111) surface depending on its termination (Record no. 927409)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 02478nab a2200361 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | koha000927409 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20230320003702.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 230123|2022 sz s a eng d |
| 024 7# - Прочие стандартные номера | |
| Стандартный номер | 10.3390/cryst12040477 |
| Источник номера | doi |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | koha000927409 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Role of oxygen and fluorine in passivation of the GaSb(111) surface depending on its termination |
| Ответственность | A. V. Bakulin, L. S. Chumakova, A. V. Korchuganov, S. E. Kulkova |
| 336 ## - Тип содержимого | |
| Тип содержимого | Текст |
| 337 ## - Средство доступа | |
| Средство доступа | электронный |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: 48 назв. |
| 520 3# - Аннотация | |
| Аннотация | The mechanism of the chemical bonding of oxygen and fluorine on the GaSb(111) surface depending on its termination is studied by the projector augmented-waves method within density functional theory. It is shown that on an unreconstructed (111) surface with a cation termination, the adsorption of fluorine leads to the removal of surface states from the band gap. The binding energy of fluorine on the cation-terminated surface in the most preferable Ga-T position is lower by ~0.4 eV than that of oxygen, but it is significantly lower (by ~0.8 eV) on the anion-terminated surface. We demonstrate that the mechanism of chemical bonding of electronegative adsorbates with the surface has an ionic–covalent character. The covalence of the O–Sb bond is higher than the F–Sb one, and it is higher than both O–Ga and F–Ga bonds. Trends in the change in the electronic structure of the GaSb(111) surface upon adsorption of fluorine and oxygen are discussed. It is found that an increase in the oxygen concentration on the Sb-terminated GaSb(111) surface promotes a decrease in the density of surface states in the band gap. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | электронная структура |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | адсорбция |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | полупроводники AIIIBV |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | пассивация полярной поверхности |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | полупроводник GaSb(111) |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в журналах |
| 9 (RLIN) | 879358 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Bakulin, Alexander V. |
| 9 (RLIN) | 94703 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Chumakova, Lora S. |
| 9 (RLIN) | 857903 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Korchuganov, Aleksandr V. |
| 9 (RLIN) | 103114 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Kulkova, Svetlana E. |
| 9 (RLIN) | 94704 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | Crystals |
| Место и дата издания | 2022 |
| Прочая информация | Vol. 12, № 4. P. 477 (1-15) |
| ISSN | 2073-4352 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 4# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000927409">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000927409</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 927409 |
No items available.