Normal view
MARC view
Unipolar semiconductor barrier structures for infrared photodetector arrays (Review) (Record no. 924556)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 02270nab a2200409 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | koha000924556 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20230320003357.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 221128|2021 xxu s a eng d |
| 024 7# - Прочие стандартные номера | |
| Стандартный номер | 10.1134/S1064226921090035 |
| Источник номера | doi |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | koha000924556 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Unipolar semiconductor barrier structures for infrared photodetector arrays (Review) |
| Ответственность | I. D. Burlakov, N. A. Kulchitskii, A. V. Voytsekhovskiy [et al.] |
| 336 ## - Тип содержимого | |
| Тип содержимого | Текст |
| 337 ## - Средство доступа | |
| Средство доступа | электронный |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: 41 назв. |
| 520 3# - Аннотация | |
| Аннотация | We analyze the current state of research in the field of creating unipolar semiconductor barrier structures based on various materials for infrared photodetector arrays, which make it possible to reduce the dark currents and thereby improve the threshold characteristics and ensure operation at high cooling temperatures. The main ways of minimizing a barrier for holes in the valence band are considered by the example of a photosensitive structure based on the n-CMT layer. It is shown that the nBn barrier structures are an alternative for creating photodiode sensing matrices for the mid- and far-infrared photodetector arrays. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | униполярная структура |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | барьерная структура |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | молекулярно-лучевая эпитаксия |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | инфракрасные фотодиоды |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | инфракрасные фотодетекторы |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | матрица фокальной плоскости |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | арсенид галлия-индия |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в журналах |
| 9 (RLIN) | 879358 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Burlakov, I. D. |
| 9 (RLIN) | 853483 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Kulchitskii, N. A. |
| 9 (RLIN) | 803710 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Voytsekhovskiy, Alexander V. |
| 9 (RLIN) | 91706 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Nesmelov, Sergey N. |
| 9 (RLIN) | 101528 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Dzyadukh, Stanislav M. |
| 9 (RLIN) | 95711 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Gorn, Dmitriy Igorevich |
| 9 (RLIN) | 167622 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | Journal of communications technology and electronics |
| Место и дата издания | 2021 |
| Прочая информация | Vol. 66, № 9. P. 1084-1091 |
| ISSN | 1064-2269 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 4# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000924556">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000924556</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 924556 |
No items available.