Normal view
MARC view
Легированные полупроводники (Record no. 902187)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 01979nam a2200361 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | koha000902187 |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 221021s1975 ru ad f ab 000 0 rus d |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | koha000902187 |
| 039 ## - История создания и изменения записи | |
| Создание записи | 21 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 080 ## - Индекс УДК | |
| Индекс УДК | 621.315.592:669.046.516.2(082) |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Легированные полупроводники |
| Продолж. заглавия | [сборник статей] |
| Ответственность | Акад. наук СССР, Ин-т металлургии им. А. А. Байкова ; отв. ред. Н. Х. Абрикосов, В. С. Земсков |
| 260 ## - Выходные данные | |
| 9 (RLIN) | 687664 |
| Место издания | Москва |
| Издательство | Наука |
| Дата издания | 1975 |
| 300 ## - Физическое описание | |
| Объем | 139, [1] с. |
| Иллюстрации/тип воспроизводства | ил. |
| 336 ## - Тип содержимого | |
| Тип содержимого | Текст |
| 337 ## - Средство доступа | |
| Средство доступа | непосредственный |
| 504 ## - Библиография, указатели | |
| Библиография, указатели | Библиогр. в конце ст. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | легирование полупроводников |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | полупроводник-легирующие компоненты, система |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | фазовое равновесие при легировании |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | легирующие примеси, коэффициенты распределения |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | растворимость легирующих компонентов |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | термообработка легированных полупроводников |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | взаимодействие легирующих компонентов с дислокациями |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | дефекты кристаллической структуры |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | взаимодействие легирующих компонентов с вакансиями |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | диффузия в полупроводниках |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | полупроводниковые материалы, управление свойствами |
| 700 ## - Другие авторы | |
| Код авторского отношения | редактор |
| 9 (RLIN) | 184801 |
| Другие авторы | Абрикосов, Николай Хрисанфович |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Код авторского отношения | редактор |
| Другие авторы | Земсков, В. С. |
| 9 (RLIN) | 816294 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| Код страны | ru |
| Не выдается | Отсутствует на месте | Поврежден | Исходное место хранения | Местоположение | Дата поступления | Цена | Всего выдач | Расстановочный шифр | Штрих-код | Дата последнего просмотра | Дата последней выдачи/возврата | Класс экземпляра |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Научная библиотека ТГУ | Книгохранилище | 21/10/2022 | 0.84 | 1 | 1-183220к | 13820001041183 | 21/10/2022 | 21/10/2022 | Выдается в читальный зал |