Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Accumulation of arsenic implantation‑induced donor defects in Hg0.7Cd0.3Te heteroepitaxial structures (Record no. 901903)

000 -Маркер записи
Контрольное поле постоянной длины 02718nab a2200421 c 4500
001 - Контрольный номер
Контрольное поле koha000901903
005 - Дата корректировки
Контрольное поле 20230320002548.0
007 - Кодируемые данные (физ. описан.)
Контрольное поле постоянной длины cr |
008 - Кодируемые данные
Контрольное поле постоянной длины 221014|2021 xxu s a eng d
024 7# - Прочие стандартные номера
Стандартный номер 10.1007/s11664-021-08877-w
Источник номера doi
035 ## - Системный контрольный номер
Системный контрольный номер koha000901903
040 ## - Источник каталогиз.
Служба первич. каталог. RU-ToGU
Код языка каталог. rus
Служба, преобразующая запись RU-ToGU
245 10 - Заглавие
Заглавие Accumulation of arsenic implantation‑induced donor defects in Hg0.7Cd0.3Te heteroepitaxial structures
Ответственность I. I. Izhnin, K. D. Mynbaev, A. V. Voitsekhovskii [et al.]
336 ## - Тип содержимого
Тип содержимого Текст
337 ## - Средство доступа
Средство доступа электронный
504 ## - Библиография
Библиография Библиогр.: 23 назв.
520 3# - Аннотация
Аннотация Accumulation of arsenic implantation-induced donor defects in heteroepitaxial Hg1−xCdxTe structures with the composition of the active layer xa = 0.30 was studied with the use of the Hall-efect measurements and mobility spectrum analysis. The studies allowed for identifying the carriers in the implantation-damaged n+-layer, namely, electrons with low and intermediate mobility, and for establishing the dependence of their concentration on the ion fuence. The electrically active implantation-induced defects in the studied structures, similar to the case of those with xa = 0.22, were identifed as atoms of interstitial mercury captured by dislocation loops and quasi-point defects. In the material with xa = 0.30, a weak dependence of theconcentration of low-mobility electrons on the fuence was observed. In general, a substantial diference in the properties of p+–n junctions formed as a result of arsenic implantation in the structures with xa = 0.30 and xa = 0.22 was established. The diference was explained by the efect of the graded-gap surface layer on the difusion of charged defects released during the implantation.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова имплантация мышьяка
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова донорные дефекты
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова гетероэпитаксиальные структуры
655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма
Жанр/форма статьи в журналах
9 (RLIN) 879358
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Izhnin, Igor I.
9 (RLIN) 102905
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Mynbaev, Karim D.
9 (RLIN) 111823
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Voytsekhovskiy, Alexander V.
9 (RLIN) 91706
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Korotaev, Alexander G.
9 (RLIN) 106335
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Varavin, Vasilii S.
9 (RLIN) 102908
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Dvoretsky, Sergei A.
9 (RLIN) 101527
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Mikhailov, Nikolay N.
9 (RLIN) 103757
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Yakushev, Maxim V.
9 (RLIN) 102909
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Fitsych, Olena I.
9 (RLIN) 102906
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Świątek, Zbigniew
9 (RLIN) 264267
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Jakiela, Rafal
9 (RLIN) 338710
773 0# - Источник информации
Название источника Journal of electronic materials
Место и дата издания 2021
Прочая информация Vol. 50, № 6. P. 3714-3721
ISSN 0361-5235
852 4# - Местонахождение единицы хранения
Код организации-хранителя RU-ToGU
856 4# - Электронный адрес документа
URL <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000901903">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000901903</a>
908 ## - Параметр входа данных
Параметр входа данных статья
999 ## - Системные контрольные номера (Koha)
biblionumber (Koha) 901903

No items available.