Normal view
MARC view
Accumulation of arsenic implantation‑induced donor defects in Hg0.7Cd0.3Te heteroepitaxial structures (Record no. 901903)
[ view plain ]
000 -Маркер записи | |
---|---|
Контрольное поле постоянной длины | 02718nab a2200421 c 4500 |
001 - Контрольный номер | |
Контрольное поле | koha000901903 |
005 - Дата корректировки | |
Контрольное поле | 20230320002548.0 |
007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
Контрольное поле постоянной длины | cr | |
008 - Кодируемые данные | |
Контрольное поле постоянной длины | 221014|2021 xxu s a eng d |
024 7# - Прочие стандартные номера | |
Стандартный номер | 10.1007/s11664-021-08877-w |
Источник номера | doi |
035 ## - Системный контрольный номер | |
Системный контрольный номер | koha000901903 |
040 ## - Источник каталогиз. | |
Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
Код языка каталог. | rus |
Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
245 10 - Заглавие | |
Заглавие | Accumulation of arsenic implantation‑induced donor defects in Hg0.7Cd0.3Te heteroepitaxial structures |
Ответственность | I. I. Izhnin, K. D. Mynbaev, A. V. Voitsekhovskii [et al.] |
336 ## - Тип содержимого | |
Тип содержимого | Текст |
337 ## - Средство доступа | |
Средство доступа | электронный |
504 ## - Библиография | |
Библиография | Библиогр.: 23 назв. |
520 3# - Аннотация | |
Аннотация | Accumulation of arsenic implantation-induced donor defects in heteroepitaxial Hg1−xCdxTe structures with the composition of the active layer xa = 0.30 was studied with the use of the Hall-efect measurements and mobility spectrum analysis. The studies allowed for identifying the carriers in the implantation-damaged n+-layer, namely, electrons with low and intermediate mobility, and for establishing the dependence of their concentration on the ion fuence. The electrically active implantation-induced defects in the studied structures, similar to the case of those with xa = 0.22, were identifed as atoms of interstitial mercury captured by dislocation loops and quasi-point defects. In the material with xa = 0.30, a weak dependence of theconcentration of low-mobility electrons on the fuence was observed. In general, a substantial diference in the properties of p+–n junctions formed as a result of arsenic implantation in the structures with xa = 0.30 and xa = 0.22 was established. The diference was explained by the efect of the graded-gap surface layer on the difusion of charged defects released during the implantation. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | имплантация мышьяка |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | донорные дефекты |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | гетероэпитаксиальные структуры |
655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
Жанр/форма | статьи в журналах |
9 (RLIN) | 879358 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Izhnin, Igor I. |
9 (RLIN) | 102905 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Mynbaev, Karim D. |
9 (RLIN) | 111823 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Voytsekhovskiy, Alexander V. |
9 (RLIN) | 91706 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Korotaev, Alexander G. |
9 (RLIN) | 106335 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Varavin, Vasilii S. |
9 (RLIN) | 102908 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Dvoretsky, Sergei A. |
9 (RLIN) | 101527 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Mikhailov, Nikolay N. |
9 (RLIN) | 103757 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Yakushev, Maxim V. |
9 (RLIN) | 102909 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Fitsych, Olena I. |
9 (RLIN) | 102906 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Świątek, Zbigniew |
9 (RLIN) | 264267 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Jakiela, Rafal |
9 (RLIN) | 338710 |
773 0# - Источник информации | |
Название источника | Journal of electronic materials |
Место и дата издания | 2021 |
Прочая информация | Vol. 50, № 6. P. 3714-3721 |
ISSN | 0361-5235 |
852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
Код организации-хранителя | RU-ToGU |
856 4# - Электронный адрес документа | |
URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000901903">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000901903</a> |
908 ## - Параметр входа данных | |
Параметр входа данных | статья |
999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
biblionumber (Koha) | 901903 |
No items available.