Normal view
MARC view
Analysis of carrier species in arsenic-implanted p- and n-type Hg0.7Cd0.3Te (Record no. 901902)
[ view plain ]
000 -Маркер записи | |
---|---|
Контрольное поле постоянной длины | 02679nab a2200433 c 4500 |
001 - Контрольный номер | |
Контрольное поле | koha000901902 |
005 - Дата корректировки | |
Контрольное поле | 20230320002548.0 |
007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
Контрольное поле постоянной длины | cr | |
008 - Кодируемые данные | |
Контрольное поле постоянной длины | 221014|2021 ne s a eng d |
024 7# - Прочие стандартные номера | |
Стандартный номер | 10.1016/j.infrared.2021.103665 |
Источник номера | doi |
035 ## - Системный контрольный номер | |
Системный контрольный номер | koha000901902 |
040 ## - Источник каталогиз. | |
Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
Код языка каталог. | rus |
Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
245 10 - Заглавие | |
Заглавие | Analysis of carrier species in arsenic-implanted p- and n-type Hg0.7Cd0.3Te |
Ответственность | I. I. Izhnin, K. D. Mynbaev, A. V. Voitsekhovskii [et al.] |
336 ## - Тип содержимого | |
Тип содержимого | Текст |
337 ## - Средство доступа | |
Средство доступа | электронный |
504 ## - Библиография | |
Библиография | Библиогр.: 18 назв. |
520 3# - Аннотация | |
Аннотация | Carrier species in arsenic-implanted p– and n–type Hg0.7Cd0.3Te films grown by molecular-beam epitaxy were investigated with the use of the Hall-effect studies and mobility spectrum analysis. The implantation was performed with ion energy 190 or 350 keV and ion fluence ranging from 1012 to 1015 cm2. A substantial difference between carrier species in Hg0.7Cd0.3Te and Hg0.8Cd0.2Te films subjected to arsenic implantation and post- implantation activation annealing was established. In particular, arsenic implantation in p–type Hg0.7Cd0.3Te in most cases lead to the formation of n+–p– (not n+–n–p–) structures, and in n–type Hg0.7Cd0.3Te films post- implantation activation annealing lead to modification of the electrical parameters of the n–type ‘base’, in contrast to Hg0.8Cd0.2Te material studied earlier. The difference in carrier species formed in arsenic-implanted Hg0.7Cd0.3Te and Hg0.8Cd0.2Te films was tentatively explained by different background impurity concentrations in the films with different chemical composition. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | имплантация мышьяка |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | ионная имплантация |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | молекулярно-лучевая эпитаксия |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | эпитаксиальные пленки |
655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
Жанр/форма | статьи в журналах |
9 (RLIN) | 879358 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Izhnin, Igor I. |
9 (RLIN) | 102905 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Mynbaev, Karim D. |
9 (RLIN) | 111823 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Voytsekhovskiy, Alexander V. |
9 (RLIN) | 91706 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Korotaev, Alexander G. |
9 (RLIN) | 106335 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Varavin, Vasilii S. |
9 (RLIN) | 102908 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Dvoretsky, Sergei A. |
9 (RLIN) | 101527 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Mikhailov, Nikolay N. |
9 (RLIN) | 103757 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Yakushev, Maxim V. |
9 (RLIN) | 102909 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Fitsych, Olena I. |
9 (RLIN) | 102906 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Świątek, Zbigniew |
9 (RLIN) | 264267 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Izhnin, Igor I. |
9 (RLIN) | 102905 |
773 0# - Источник информации | |
Название источника | Infrared physics and technology |
Место и дата издания | 2021 |
Прочая информация | Vol. 114. P. 103665 (1-7) |
ISSN | 1350-4495 |
852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
Код организации-хранителя | RU-ToGU |
856 4# - Электронный адрес документа | |
URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000901902">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000901902</a> |
908 ## - Параметр входа данных | |
Параметр входа данных | статья |
999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
biblionumber (Koha) | 901902 |
No items available.