Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Analysis of carrier species in arsenic-implanted p- and n-type Hg0.7Cd0.3Te (Record no. 901902)

000 -Маркер записи
Контрольное поле постоянной длины 02679nab a2200433 c 4500
001 - Контрольный номер
Контрольное поле koha000901902
005 - Дата корректировки
Контрольное поле 20230320002548.0
007 - Кодируемые данные (физ. описан.)
Контрольное поле постоянной длины cr |
008 - Кодируемые данные
Контрольное поле постоянной длины 221014|2021 ne s a eng d
024 7# - Прочие стандартные номера
Стандартный номер 10.1016/j.infrared.2021.103665
Источник номера doi
035 ## - Системный контрольный номер
Системный контрольный номер koha000901902
040 ## - Источник каталогиз.
Служба первич. каталог. RU-ToGU
Код языка каталог. rus
Служба, преобразующая запись RU-ToGU
245 10 - Заглавие
Заглавие Analysis of carrier species in arsenic-implanted p- and n-type Hg0.7Cd0.3Te
Ответственность I. I. Izhnin, K. D. Mynbaev, A. V. Voitsekhovskii [et al.]
336 ## - Тип содержимого
Тип содержимого Текст
337 ## - Средство доступа
Средство доступа электронный
504 ## - Библиография
Библиография Библиогр.: 18 назв.
520 3# - Аннотация
Аннотация Carrier species in arsenic-implanted p– and n–type Hg0.7Cd0.3Te films grown by molecular-beam epitaxy were investigated with the use of the Hall-effect studies and mobility spectrum analysis. The implantation was performed with ion energy 190 or 350 keV and ion fluence ranging from 1012 to 1015 cm2. A substantial difference between carrier species in Hg0.7Cd0.3Te and Hg0.8Cd0.2Te films subjected to arsenic implantation and post- implantation activation annealing was established. In particular, arsenic implantation in p–type Hg0.7Cd0.3Te in most cases lead to the formation of n+–p– (not n+–n–p–) structures, and in n–type Hg0.7Cd0.3Te films post- implantation activation annealing lead to modification of the electrical parameters of the n–type ‘base’, in contrast to Hg0.8Cd0.2Te material studied earlier. The difference in carrier species formed in arsenic-implanted Hg0.7Cd0.3Te and Hg0.8Cd0.2Te films was tentatively explained by different background impurity concentrations in the films with different chemical composition.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова имплантация мышьяка
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова ионная имплантация
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова молекулярно-лучевая эпитаксия
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова эпитаксиальные пленки
655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма
Жанр/форма статьи в журналах
9 (RLIN) 879358
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Izhnin, Igor I.
9 (RLIN) 102905
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Mynbaev, Karim D.
9 (RLIN) 111823
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Voytsekhovskiy, Alexander V.
9 (RLIN) 91706
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Korotaev, Alexander G.
9 (RLIN) 106335
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Varavin, Vasilii S.
9 (RLIN) 102908
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Dvoretsky, Sergei A.
9 (RLIN) 101527
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Mikhailov, Nikolay N.
9 (RLIN) 103757
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Yakushev, Maxim V.
9 (RLIN) 102909
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Fitsych, Olena I.
9 (RLIN) 102906
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Świątek, Zbigniew
9 (RLIN) 264267
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Izhnin, Igor I.
9 (RLIN) 102905
773 0# - Источник информации
Название источника Infrared physics and technology
Место и дата издания 2021
Прочая информация Vol. 114. P. 103665 (1-7)
ISSN 1350-4495
852 4# - Местонахождение единицы хранения
Код организации-хранителя RU-ToGU
856 4# - Электронный адрес документа
URL <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000901902">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000901902</a>
908 ## - Параметр входа данных
Параметр входа данных статья
999 ## - Системные контрольные номера (Koha)
biblionumber (Koha) 901902

No items available.