Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Влияние имплантации ионов As+ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок n-Hg0.78Cd0.22Te (Record no. 895314)

000 -Маркер записи
Контрольное поле постоянной длины 03052nab a2200421 c 4500
001 - Контрольный номер
Контрольное поле koha000895314
005 - Дата корректировки
Контрольное поле 20240607173411.0
007 - Кодируемые данные (физ. описан.)
Контрольное поле постоянной длины cr |
008 - Кодируемые данные
Контрольное поле постоянной длины 220601|2021 ru s c rus d
024 7# - Прочие стандартные номера
Стандартный номер 10.21883/PJTF.2021.04.50643.18605
Источник номера doi
035 ## - Системный контрольный номер
Системный контрольный номер koha000895314
040 ## - Источник каталогиз.
Служба первич. каталог. RU-ToGU
Код языка каталог. rus
Служба, преобразующая запись RU-ToGU
245 10 - Заглавие
Заглавие Влияние имплантации ионов As+ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок n-Hg0.78Cd0.22Te
Ответственность А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.]
336 ## - Тип содержимого
Тип содержимого Текст
337 ## - Средство доступа
Средство доступа электронный
504 ## - Библиография
Библиография Библиогр.: 15 назв.
520 3# - Аннотация
Аннотация Пленки n-Hg0.775Cd0.225Te с приповерхностными широкозонными слоями выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из Si (013). Для измерений адмиттанса структуры металл-диэлектрик-полупроводник изготовлены на основе исходной пленки HgCdTe, пленки после имплантации, а также пленки после имплантации и отжига. При помощи методик, учитывающих наличие варизонных слоев и медленных состояний, определены основные параметры приповерхностных слоев пленок HgCdTe после технологических процедур, применяемых при создании фотодиодов.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова варизонные пленки
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова молекулярно-лучевая эпитаксия
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова ионная имплантация
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова МДП-структуры
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова адмиттанс
655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма
Жанр/форма статьи в журналах
9 (RLIN) 879358
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Войцеховский, Александр Васильевич
9 (RLIN) 64789
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Несмелов, Сергей Николаевич
9 (RLIN) 65140
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Дзядух, Станислав Михайлович
9 (RLIN) 80402
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Варавин, Василий Семенович
9 (RLIN) 90984
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Дворецкий, Сергей Алексеевич
9 (RLIN) 90983
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Михайлов, Николай Николаевич
Титул (звание) физик
9 (RLIN) 90964
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Сидоров, Георгий Юрьевич
9 (RLIN) 135906
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Якушев, Максим Витальевич
9 (RLIN) 91994
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Марин, Денис Викторович
9 (RLIN) 805958
773 0# - Источник информации
Название источника Письма в журнал технической физики
Место и дата издания 2021
Прочая информация Т. 47, № 4. С. 33-35
ISSN 0320-0116
Контрольный № источника 0028-42260
852 4# - Местонахождение единицы хранения
Код организации-хранителя RU-ToGU
856 4# - Электронный адрес документа
URL <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000895314">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000895314</a>
908 ## - Параметр входа данных
Параметр входа данных статья
999 ## - Системные контрольные номера (Koha)
biblionumber (Koha) 895314

No items available.