Normal view
MARC view
Влияние имплантации ионов As+ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок n-Hg0.78Cd0.22Te (Record no. 895314)
[ view plain ]
000 -Маркер записи | |
---|---|
Контрольное поле постоянной длины | 03052nab a2200421 c 4500 |
001 - Контрольный номер | |
Контрольное поле | koha000895314 |
005 - Дата корректировки | |
Контрольное поле | 20240607173411.0 |
007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
Контрольное поле постоянной длины | cr | |
008 - Кодируемые данные | |
Контрольное поле постоянной длины | 220601|2021 ru s c rus d |
024 7# - Прочие стандартные номера | |
Стандартный номер | 10.21883/PJTF.2021.04.50643.18605 |
Источник номера | doi |
035 ## - Системный контрольный номер | |
Системный контрольный номер | koha000895314 |
040 ## - Источник каталогиз. | |
Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
Код языка каталог. | rus |
Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
245 10 - Заглавие | |
Заглавие | Влияние имплантации ионов As+ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок n-Hg0.78Cd0.22Te |
Ответственность | А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] |
336 ## - Тип содержимого | |
Тип содержимого | Текст |
337 ## - Средство доступа | |
Средство доступа | электронный |
504 ## - Библиография | |
Библиография | Библиогр.: 15 назв. |
520 3# - Аннотация | |
Аннотация | Пленки n-Hg0.775Cd0.225Te с приповерхностными широкозонными слоями выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из Si (013). Для измерений адмиттанса структуры металл-диэлектрик-полупроводник изготовлены на основе исходной пленки HgCdTe, пленки после имплантации, а также пленки после имплантации и отжига. При помощи методик, учитывающих наличие варизонных слоев и медленных состояний, определены основные параметры приповерхностных слоев пленок HgCdTe после технологических процедур, применяемых при создании фотодиодов. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | варизонные пленки |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | молекулярно-лучевая эпитаксия |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | ионная имплантация |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | МДП-структуры |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | адмиттанс |
655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
Жанр/форма | статьи в журналах |
9 (RLIN) | 879358 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Войцеховский, Александр Васильевич |
9 (RLIN) | 64789 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Несмелов, Сергей Николаевич |
9 (RLIN) | 65140 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Дзядух, Станислав Михайлович |
9 (RLIN) | 80402 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Варавин, Василий Семенович |
9 (RLIN) | 90984 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Дворецкий, Сергей Алексеевич |
9 (RLIN) | 90983 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Михайлов, Николай Николаевич |
Титул (звание) | физик |
9 (RLIN) | 90964 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Сидоров, Георгий Юрьевич |
9 (RLIN) | 135906 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Якушев, Максим Витальевич |
9 (RLIN) | 91994 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Марин, Денис Викторович |
9 (RLIN) | 805958 |
773 0# - Источник информации | |
Название источника | Письма в журнал технической физики |
Место и дата издания | 2021 |
Прочая информация | Т. 47, № 4. С. 33-35 |
ISSN | 0320-0116 |
Контрольный № источника | 0028-42260 |
852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
Код организации-хранителя | RU-ToGU |
856 4# - Электронный адрес документа | |
URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000895314">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000895314</a> |
908 ## - Параметр входа данных | |
Параметр входа данных | статья |
999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
biblionumber (Koha) | 895314 |
No items available.