Normal view
MARC view
Influence of As+ Ion implantation on properties of MBE HgCdTe near-surface layer characterized by metal–insulator–semiconductor techniques (Record no. 893721)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 03280nab a2200433 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | koha000893721 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20230320001658.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 220504|2021 xxu s a eng d |
| 024 7# - Прочие стандартные номера | |
| Стандартный номер | 10.1007/s11664-021-08752-8 |
| Источник номера | doi |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | koha000893721 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Influence of As+ Ion implantation on properties of MBE HgCdTe near-surface layer characterized by metal–insulator–semiconductor techniques |
| Ответственность | A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et al.] |
| 336 ## - Тип содержимого | |
| Тип содержимого | Текст |
| 337 ## - Средство доступа | |
| Средство доступа | электронный |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: 47 назв. |
| 520 3# - Аннотация | |
| Аннотация | The effect of As+ ion implantation on the electrical properties of the near-surface layer of n-HgCdTe films grown by molecular beam epitaxy (MBE) on Si (310) substrates was experimentally studied. A specific feature of MBE n-Hg0.78Cd0.22Te films is the presence of near-surface graded-gap layers with a high CdTe content, formed during epitaxial growth. The properties of as-grown films and films after As+ ion implantation with ion energy of 200 keV and fluence of 1014 cm−2 were studied. Post-implantation activation annealing was not performed. Test metal–insulator–semiconductor (MIS) structures were created based on as-grown and as-implanted samples by plasma-enhanced atomic layer deposition of Al2O3 insulator films. The admittance of the fabricated MIS structures was measured over a wide range of frequencies and temperatures. When determining the parameters of MIS structures, we used techniques that take into account the presence of near-surface graded-gap layers and series resistance of the HgCdTe film bulk, as well as the high density of slow surface states. It was found that, in as-implanted samples, the donor center concentration in the near-surface layer exceeds 1017 cm−3 and increases with distance from the HgCdTe-Al2O3 interface (at least up to 90 nm). After implantation, the conductivity of MBE HgCdTe film bulk increases markedly. It was shown that, for as-implanted samples, the generation rate of minority charge carriers in the MBE HgCdTe surface layer is significantly reduced, which indicates the appearance of a low defect layer with a thickness of at least 90 nm. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | теллурид кадмия-ртути |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | молекулярно-лучевая эпитаксия |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | ионная имплантация |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | МДП-структуры |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | адмиттанс |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | варизонные слои |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в журналах |
| 9 (RLIN) | 879358 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Voytsekhovskiy, Alexander V. |
| 9 (RLIN) | 91706 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Nesmelov, Sergey N. |
| 9 (RLIN) | 101528 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Dzyadukh, Stanislav M. |
| 9 (RLIN) | 95711 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Varavin, Vasilii S. |
| 9 (RLIN) | 102908 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Dvoretsky, Sergei A. |
| 9 (RLIN) | 101527 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Mikhailov, Nikolay N. |
| 9 (RLIN) | 103757 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Sidorov, Georgiy Yu. |
| 9 (RLIN) | 478111 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Yakushev, Maxim V. |
| 9 (RLIN) | 102909 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Marin, Denis V. |
| 9 (RLIN) | 496528 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | Journal of electronic materials |
| Место и дата издания | 2021 |
| Прочая информация | Vol. 50, № 4. P. 2323-2330 |
| ISSN | 0361-5235 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 4# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000893721">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000893721</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 893721 |
No items available.