Normal view
MARC view
Влияние облучения реакторными нейтронами на структуру монокристаллов InP (Record no. 722114)
[ view plain ]
000 -Маркер записи | |
---|---|
Контрольное поле постоянной длины | 01737naa a2200325 c 4500 |
001 - Контрольный номер | |
Контрольное поле | koha000722114 |
005 - Дата корректировки | |
Контрольное поле | 20240322185220.0 |
008 - Кодируемые данные | |
Контрольное поле постоянной длины | 211124s2002 ru f 100 0 rus d |
035 ## - Системный контрольный номер | |
Системный контрольный номер | koha000722114 |
039 ## - История создания и изменения записи | |
Создание записи | 26 |
Последнее изменение записи | 100 |
040 ## - Источник каталогиз. | |
Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
Код языка каталог. | rus |
Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
245 10 - Заглавие | |
Заглавие | Влияние облучения реакторными нейтронами на структуру монокристаллов InP |
Ответственность | Д. И. Меркурисов, В. Т. Бублик, М. И. Воронова [и др.] |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | физика полупроводников |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | полупроводники |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | полупроводниковые приборы |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | монокристаллы |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | фосфид индия |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | облучение реакторными нейтронами |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | экспериментальные исследования |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | полупроводниковые материалы |
700 1# - Другие авторы | |
9 (RLIN) | 763685 |
Другие авторы | Меркурисов, Денис Игоревич |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Бублик, Владимир Тимофеевич |
9 (RLIN) | 225629 |
700 1# - Другие авторы | |
9 (RLIN) | 378943 |
Другие авторы | Воронова, Марина Игоревна |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Колин, Николай Георгиевич |
9 (RLIN) | 180598 |
700 1# - Другие авторы | |
9 (RLIN) | 570476 |
Другие авторы | Щербачев, Кирилл Дмитриевич |
773 0# - Источник информации | |
Название источника | Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции |
Место и дата издания | Томск, 2002 |
Прочая информация | С. 248-249 |
Контрольный № источника | 0183-75860 |
852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
Код организации-хранителя | RU-ToGU |
Код страны | ru |
908 ## - Параметр входа данных | |
Параметр входа данных | статья |
942 ## - Дополнительные данные (Коха) | |
Код системы классификации для розстановки фонда | |
999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
biblionumber (Koha) | 722114 |
No items available.