Normal view
MARC view
Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок (Record no. 67976)
[ view plain ]
000 -Маркер записи | |
---|---|
Контрольное поле постоянной длины | 02342nam a2200397 4500 |
001 - Контрольный номер | |
Контрольное поле | vtls000065936 |
005 - Дата корректировки | |
Контрольное поле | 20210909192317.0 |
008 - Кодируемые данные | |
Контрольное поле постоянной длины | 000425s1978 ru a | b 000 0 rus d |
035 ## - Системный контрольный номер | |
Системный контрольный номер | 0068-85560 |
040 ## - Источник каталогиз. | |
Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
Код языка каталог. | rus |
Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
Правила каталог. | PSBO |
080 ## - Индекс УДК | |
Индекс УДК | 539.216.2:537.311.22 |
100 1# - Автор | |
Автор | Александров, Леонид Наумович. |
9 (RLIN) | 164708 |
245 10 - Заглавие | |
Заглавие | Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок |
Ответственность | Л. Н. Александров; Акад. наук СССР, Сибирское отд-ние, Ин-т физики полупроводников; Отв. ред А. Ф. Кравченко |
260 ## - Выходные данные | |
Место издания | Новосибирск |
Издательство | Наука. Сибирское отделение |
Дата издания | 1978 |
300 ## - Физическое описание | |
Объем | 270, [2] c. |
Иллюстрации/тип воспроизводства | рис. |
504 ## - Библиография | |
Библиография | Библиогр.: с. 248-270 |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | эпитаксиальная кристаллизация пленок. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | полупроводниковые пленки. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | физика полупроводников. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | полупроводниковая электроника. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | эпитаксиальные пленки. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | эпитаксиальный рост кристаллов. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | переходные области (эпитаксиальные пленки). |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | подложка (эпитаксиальные пленки). |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | диффузионные процессы (эпитаксиальные пленки). |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | моделирование роста кристаллов. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | диффузия (эпитаксиальные пленки). |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | дислокации винтовые (эпитаксиальные пленки). |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | дефекты структурные (эпитаксиальные пленки). |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | гетероэпитаксиальный рост пленок. |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Кравченко, Александр Филиппович. |
Роль лиц | ред. |
Код отношения | edt |
9 (RLIN) | 68666 |
852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
Код организации-хранителя | RU-ToGU |
Полочный индекс | 1-317457 |
Авторский знак | 539.2 |
Код страны | ru |
908 ## - Параметр входа данных | |
Параметр входа данных | учебник |
999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
biblionumber (Koha) | 67976 |
Не выдается | Отсутствует на месте | Поврежден | Исходное место хранения | Местоположение | Дата поступления | Цена | Всего выдач | Расстановочный шифр | Штрих-код | Класс экземпляра | Номер копии |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Научная библиотека ТГУ | Книгохранилище | 02/04/2021 | 3.40 | 1-322348к | 13820000579388 | Выдается в читальный зал | |||||
Научная библиотека ТГУ | Книгохранилище | 02/04/2021 | 3.40 | 1-317457 | 13820000142041 | 1 месяц | 1 | ||||
Научная библиотека ТГУ | Книгохранилище | 02/04/2021 | 3.40 | 1-319667 | 13820000341142 | 1 месяц | 2 |