Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

TEM studies of structural defects in HgTe/HgCdTe quantum wells (Record no. 656168)

000 -Маркер записи
Контрольное поле постоянной длины 02270nab a2200457 c 4500
001 - Контрольный номер
Контрольное поле koha000656168
005 - Дата корректировки
Контрольное поле 20230319233146.0
007 - Кодируемые данные (физ. описан.)
Контрольное поле постоянной длины cr |
008 - Кодируемые данные
Контрольное поле постоянной длины 210705|2020 sz s a eng d
024 7# - Прочие стандартные номера
Стандартный номер 10.1007/s13204-019-01142-x
Источник номера doi
035 ## - Системный контрольный номер
Системный контрольный номер koha000656168
040 ## - Источник каталогиз.
Служба первич. каталог. RU-ToGU
Код языка каталог. rus
Служба, преобразующая запись RU-ToGU
245 10 - Заглавие
Заглавие TEM studies of structural defects in HgTe/HgCdTe quantum wells
Ответственность A. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy, Z. Swiatek [et al.]
336 ## - Тип содержимого
Тип содержимого Текст
337 ## - Средство доступа
Средство доступа электронный
504 ## - Библиография
Библиография Библиогр.: с. 2871
520 3# - Аннотация
Аннотация Bright-field and high-resolution transmission electron microscopy and microdiffraction have been used for the study of defects in two HgTe/HgCdTe single quantum well (QW) structures grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates with ZnTe and CdTe buffer layers. Defects in QW layers were identified as stacking faults, dislocations, dislocation loops and lattice deformations. The importance of an extra HgCdTe layer placed between the CdTe buffer and HgTe/HgCdTe QW structure for the reduction of defect density both in the barrier layers and in the well itself was demonstrated.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова квантовые ямы
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова структурные дефекты
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова молекулярно-лучевая эпитаксия
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова просвечивающая электронная микроскопия
655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма
Жанр/форма статьи в журналах
9 (RLIN) 879358
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Bonchyk, A. Yu.
9 (RLIN) 100966
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Savytskyy, Hrygory V.
9 (RLIN) 102907
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Świątek, Zbigniew
9 (RLIN) 264267
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Morgiel, Y.
9 (RLIN) 659323
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Izhnin, Igor I.
9 (RLIN) 102905
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Voytsekhovskiy, Alexander V.
9 (RLIN) 91706
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Korotaev, Alexander G.
9 (RLIN) 106335
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Mynbaev, Karim D.
9 (RLIN) 111823
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Fitsych, Olena I.
9 (RLIN) 102906
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Varavin, Vasilii S.
9 (RLIN) 102908
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Dvoretsky, Sergei A.
9 (RLIN) 101527
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Mikhailov, Nikolay N.
9 (RLIN) 103757
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Yakushev, Maxim V.
9 (RLIN) 102909
773 0# - Источник информации
Название источника Applied nanoscience
Место и дата издания 2020
Прочая информация Vol. 10, № 8. P. 2867-2871
ISSN 2190-5509
852 4# - Местонахождение единицы хранения
Код организации-хранителя RU-ToGU
856 4# - Электронный адрес документа
URL <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000656168">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000656168</a>
908 ## - Параметр входа данных
Параметр входа данных статья
999 ## - Системные контрольные номера (Koha)
biblionumber (Koha) 656168

No items available.