Normal view
MARC view
TEM studies of structural defects in HgTe/HgCdTe quantum wells (Record no. 656168)
[ view plain ]
000 -Маркер записи | |
---|---|
Контрольное поле постоянной длины | 02270nab a2200457 c 4500 |
001 - Контрольный номер | |
Контрольное поле | koha000656168 |
005 - Дата корректировки | |
Контрольное поле | 20230319233146.0 |
007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
Контрольное поле постоянной длины | cr | |
008 - Кодируемые данные | |
Контрольное поле постоянной длины | 210705|2020 sz s a eng d |
024 7# - Прочие стандартные номера | |
Стандартный номер | 10.1007/s13204-019-01142-x |
Источник номера | doi |
035 ## - Системный контрольный номер | |
Системный контрольный номер | koha000656168 |
040 ## - Источник каталогиз. | |
Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
Код языка каталог. | rus |
Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
245 10 - Заглавие | |
Заглавие | TEM studies of structural defects in HgTe/HgCdTe quantum wells |
Ответственность | A. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy, Z. Swiatek [et al.] |
336 ## - Тип содержимого | |
Тип содержимого | Текст |
337 ## - Средство доступа | |
Средство доступа | электронный |
504 ## - Библиография | |
Библиография | Библиогр.: с. 2871 |
520 3# - Аннотация | |
Аннотация | Bright-field and high-resolution transmission electron microscopy and microdiffraction have been used for the study of defects in two HgTe/HgCdTe single quantum well (QW) structures grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates with ZnTe and CdTe buffer layers. Defects in QW layers were identified as stacking faults, dislocations, dislocation loops and lattice deformations. The importance of an extra HgCdTe layer placed between the CdTe buffer and HgTe/HgCdTe QW structure for the reduction of defect density both in the barrier layers and in the well itself was demonstrated. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | квантовые ямы |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | структурные дефекты |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | молекулярно-лучевая эпитаксия |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | просвечивающая электронная микроскопия |
655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
Жанр/форма | статьи в журналах |
9 (RLIN) | 879358 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Bonchyk, A. Yu. |
9 (RLIN) | 100966 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Savytskyy, Hrygory V. |
9 (RLIN) | 102907 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Świątek, Zbigniew |
9 (RLIN) | 264267 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Morgiel, Y. |
9 (RLIN) | 659323 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Izhnin, Igor I. |
9 (RLIN) | 102905 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Voytsekhovskiy, Alexander V. |
9 (RLIN) | 91706 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Korotaev, Alexander G. |
9 (RLIN) | 106335 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Mynbaev, Karim D. |
9 (RLIN) | 111823 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Fitsych, Olena I. |
9 (RLIN) | 102906 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Varavin, Vasilii S. |
9 (RLIN) | 102908 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Dvoretsky, Sergei A. |
9 (RLIN) | 101527 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Mikhailov, Nikolay N. |
9 (RLIN) | 103757 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Yakushev, Maxim V. |
9 (RLIN) | 102909 |
773 0# - Источник информации | |
Название источника | Applied nanoscience |
Место и дата издания | 2020 |
Прочая информация | Vol. 10, № 8. P. 2867-2871 |
ISSN | 2190-5509 |
852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
Код организации-хранителя | RU-ToGU |
856 4# - Электронный адрес документа | |
URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000656168">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000656168</a> |
908 ## - Параметр входа данных | |
Параметр входа данных | статья |
999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
biblionumber (Koha) | 656168 |
No items available.