Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Технология СБИС (Record no. 65107)

000 -Маркер записи
Контрольное поле постоянной длины 02432nam a2200541 4500
001 - Контрольный номер
Контрольное поле vtls000067358
005 - Дата корректировки
Контрольное поле 20230319145733.0
008 - Кодируемые данные
Контрольное поле постоянной длины 950720m1986 ru a f b 000 0 rus|d
035 ## - Системный контрольный номер
Системный контрольный номер 0070-31560
035 ## - Системный контрольный номер
Системный контрольный номер (RU-ToGU)ru86-085014
040 ## - Источник каталогиз.
Служба первич. каталог. RU-ToGU
Код языка каталог. rus
Служба, преобразующая запись RU-ToGU
Организация, изменившая запись RU-ToGU
Правила каталог. PSBO
080 ## - Индекс УДК
Индекс УДК 621.382.049.771.14
084 ## - Индекс другой классификации/Индекс ББК
Индекс другой классификации/Индекс ББК 47.13
Источник индекса rugasnti
084 ## - Индекс другой классификации/Индекс ББК
Индекс другой классификации/Индекс ББК 32.844.1
Источник индекса rubbk
245 10 - Заглавие
Заглавие Технология СБИС
Номер части/раздела [Кн.] 1
Продолж. заглавия в 2 кн.
Ответственность [Пирс К., Адамс А., Кац Л. и др.] ; под ред. С. Зи ; пер. с англ. В. М. Звероловлева [и др.] ; под ред. Ю. Д. Чистякова
246 11 - Заглавие тома/части
Заглавие тома/части VLSI Technology
260 ## - Выходные данные
Место издания Москва
Издательство Мир
Дата издания 1986
300 ## - Физическое описание
Объем 404 с.
Иллюстрации/тип воспроизводства ил.
500 ## - Примечания
Примечание Авт. указаны на обороте тит. л.
504 ## - Библиография
Библиография Библиогр. в конце глав.
650 #7 - Тематические рубрики
Основная рубрика Микроэлектронные схемы интегральные большие - Производство.
Источник рубрики rurkp
9 (RLIN) 108143
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова рост кристаллов
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова кремний
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова подложки кремниевые
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова эпитаксия
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова эпитаксиальные технологии
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова осаждение диэлектрических пленок
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова осаждение плазмохимическое
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова нитрид кремния
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова двуокись кремния
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова поликремний
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова пленки окисные
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова окисление поликремния
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова диффузия в поликремнии
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова ионная имплантация
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова литография оптическая
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова литография электронно-лучевая
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова литография рентгеновская
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова литография интегральных схем
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Пирс, К.
9 (RLIN) 162296
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Зи, С. М.
Код отношения edt
9 (RLIN) 162274
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Чистяков, Юрий Дмитриевич
Код отношения edt
9 (RLIN) 162275
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Адамс, А.
9 (RLIN) 162297
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Кац, Л.
9 (RLIN) 162298
852 4# - Местонахождение единицы хранения
Код организации-хранителя RU-ToGU
Полочный индекс 621.38
Авторский знак Т384
Код страны ru
999 ## - Системные контрольные номера (Koha)
biblionumber (Koha) 65107
Holdings
Не выдается Отсутствует на месте Поврежден Исходное место хранения Местоположение Дата поступления Цена Всего выдач Расстановочный шифр Штрих-код Номер копии Класс экземпляра
      Научная библиотека ТГУ Книгохранилище 02/04/2021 3.00   1-623559 13820000147748 1 1 месяц
      Научная библиотека ТГУ Книгохранилище 02/04/2021 3.00   1-619086к 13820000783034   Выдается в читальный зал