Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Построение сети Хемминга на основе кроссбара с бинарными мемристорами (Record no. 509862)

000 -Маркер записи
Контрольное поле постоянной длины 03965nab a2200325 c 4500
001 - Контрольный номер
Контрольное поле vtls000629909
005 - Дата корректировки
Контрольное поле 20230319225209.0
007 - Кодируемые данные (физ. описан.)
Контрольное поле постоянной длины cr |
008 - Кодируемые данные
Контрольное поле постоянной длины 180622|2018 ru s c rus d
024 7# - Прочие стандартные номера
Стандартный номер 10.17223/20710410/40/9
Источник номера doi
035 ## - Системный контрольный номер
Системный контрольный номер to000629909
040 ## - Источник каталогиз.
Служба первич. каталог. RU-ToGU
Код языка каталог. rus
Служба, преобразующая запись RU-ToGU
100 1# - Автор
Автор Тарков, Михаил Сергеевич
9 (RLIN) 346173
245 10 - Заглавие
Заглавие Построение сети Хемминга на основе кроссбара с бинарными мемристорами
Ответственность М. С. Тарков
246 11 - Заглавие тома/части
Заглавие тома/части Construction of a Hamming network based on a crossbar with binary memristors
504 ## - Библиография
Библиография Библиогр.: 16 назв.
520 3# - Аннотация
Аннотация Описаны свойства аналоговых и бинарных мемристоров (резисторов с памятью), которые могут быть использованы для аппаратной реализации синапсов нейронов, а также мемристорные матрицы, называемые кроссбарами. Бинарные мемристоры, сопротивление которых принимает только два значения (максимальное и минимальное), основаны на механизме переключения филамента и распространены более широко, чем аналоговые мемристоры. Они гораздо более устойчивы к статистическим флуктуациям по сравнению с аналоговыми. Предложена аппаратная реализация ассоциативной памяти Хемминга на основе использования кроссбара на бинарных мемристорах и КМОП-схемотехники. Максимальное сопротивление бинарного мемристора соответствует значению —1 компоненты хранимого эталонного вектора, а минимальное — значению +1. Показано, что кроссбар на бинарных мемристорах реализует свойства первого слоя сети Хемминга, согласно которым выходной сигнал нейрона первого слоя неотрицателен. При этом он максимален для нейрона, эталонный вектор которого наиболее близок к вектору входных данных. Для заданной размерности эталонного вектора получено соотношение между максимальным и минимальным сопротивлениями бинарных мемристоров, которое гарантирует корректную работу первого слоя сети Хемминга. Моделирование в системе LTSPICE предложенной схемы памяти Хемминга подтвердило её работоспособность.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова Хемминга ассоциативная память
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова мемристоры
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова матрицы
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова КМОП-технологии
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова LTspice, программа схемотехнического моделирования
655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма
Жанр/форма статьи в журналах
9 (RLIN) 879358
773 0# - Источник информации
Название источника Прикладная дискретная математика
Место и дата издания 2018
Прочая информация № 40. С. 105-113
ISSN 2071-0410
Контрольный № источника 0210-48760
852 4# - Местонахождение единицы хранения
Код организации-хранителя RU-ToGU
856 7# - Электронный адрес документа
URL <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000629909">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000629909</a>
908 ## - Параметр входа данных
Параметр входа данных статья
999 ## - Системные контрольные номера (Koha)
biblionumber (Koha) 509862

No items available.